单纯的共射共基连接时输出阻抗受到G5V-2-5V的限制，使得基极电流从恒定电流的通道流向别的电流通道去了。所以，要对电路进行变形，使得基极电流再一次返回到恒定电流的通道，这样就能够进一步实现高的输出阻抗。有两个熟知的电路可以完成这样的工作，一个是图3. 24 (b)的共射共基自举电路，另一个电路是文献[2]、[3]中所载的图3.24(c)的电流自举电路。可以看出这两个电路中的共射共基晶体管Q2。、Q3。的基极电流（的大部分）与单纯的共射共基连接不同，都返回到下面的理想电流源。所以，基于集电极一发射极间电压的变化的基极电流的变化所引起的输出阻抗的减少几乎都被消除。因此，能够得到更高的输出阻抗。
    现在以这个共射共基自举电路为基础，通过重复共射共基自举电路的结构，来构思多级的共射共基自举电路。图3. 24 (d)是一个3级电路的例子。由于重复积累使输出阻抗以每级约p倍地提高。

           
    对这样高度的共射共基自举电路的输出阻抗，进行模拟确认的结果示于图3.25。与单纯的共射共基连接相比，可以看出在共射共基自举电路和电流自举电路中，可以得到约卢倍（约100倍）的高输出阻抗。进一步在3级共射共基自举电路中，得到了再提高p倍的高阻抗，大约能够实现1TQ。在实现这种非常高的阻抗的情况下，当然要考虑基于初始电流或发热的反馈等各种二次效应的制约因素，不过，可以看出在原理上还是能够实现高输出阻抗的。

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