栅极电压是由栅氧化层的厚度和EB2-4.5NFG特性所限制的。虽然栅氧化层介电击穿电压的典型值大约为80V，但为了限制故障情况下的电流和确保长期使用的可靠性，应将栅极电压限制在20V之内，其最佳值一般取15V左右。
    集电极连续电流和峰值电流/CM
    集电极流过的最大连续电流丘即为IGBT的额定电流，其表征IGBT的电流容量，七主要受结温的限制。
    为了避免擎住效应的发生，规定了IGBT的最大集电极电流峰值/CM。由于IGBT大多工作在开关状态，因而/CM更具有实际意义，只要不超过额定结温(150℃)，IGBT可以工作在比连续电流额定值大的峰值电流/CM范围内，通常峰值电流为额定电流的2倍左右。
    与MOSFET相同，参数表中给出的丘为Tc=25℃或Tc =100℃时的值，在选择IGBT的型号时应根据实际工作情况考虑裕量。
    IGBT具有较宽的安全工作区。因IGBT常用于开关I作状态。它的安全工作区分为正向偏置安全工作区(FBSOA-Forward Biased Safe Operating Area)和反向偏置安全工作区(RBSOA-Reverse Biased Safe Operating Area)。图9-5所示为IGBT的正向偏置安全工作区(FBSOA)和反向偏置安全工作区(RBSOA)。

           
    正向偏置安全工作区(FBSOA)是IGBT在导通工作状态的参数极限范围。FBSOA由导通脉宽的最大集电极电流/CM、最大集射极间电压UCES和最大功耗PCM三条边界线包围而成。FBSOA的大小与IGBT的导通时间长短有关。导通时间越短，最大功耗耐量越高。图9-5 (a)示出了直流(DC)和脉宽(PW)分别为lOOys、lOys三种情况的FBSOA，其中直流的FBSOA为最小，而脉宽为lOys的FBSOA最大。反向偏置安全工作区（RBSOA）是IGBT在关断工作状态下的参数极限范围。RBSOA由最大集电极电流/CM、最大集射极间电压Uc。和电压上升率du/dt三条极限边界线所围而成。如前所述，过高的duCE／出会使IGBT产生动态擎住效应。
    绝缘栅极取极晶体管(IGBT)的最大集电极电流/CM是根据避免动态擎住而确定的，与此相应确定了最大栅射极间电压UGES。IGBT的最大允许集射极间电压UGES是由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压确定的。