晶体三极管有多种类型：按制造DS2E-M-12V的材料不同，可分为锗三极管、硅三极管等；按极性的不同，又可分为NPN三极管和PNP三极管；按功率大小不同，又可分为大功率三极管、中功率三极管和小功率三极管；按制造工艺不同，又可分为扩散管、合金管和平面管；按工作频率不同，又可分为低频管、高频管和超高频管；按功能用途不同，又可分为开关管、达林顿（复合管）和高反压管等。图5-2所示为晶体三极管的具体分类情况。
    工作原理
    NPN型和PNP型三极管的工作原理完全相同，下面以PNP型三极管为例说明。
    PNP型三极管工作原理如图5-3所示。图中发射结施加正向电压，而集电结施加反向电压。由于发射结上加有正向电压，发射结的阻挡层变薄，发射区内的多数载流子空穴通过发射结向基区运动，形成发射结电流厶（当然发射极电流中也包括基区内的多数载流子电子通过发射结向发射区运动的电由于基区很薄，这部分电流远小于发至入到基区的空穴流，可以忽略不计）。
    发射极电流的大小与发射结上施加的正向电压有关。它们之间的关系和二极管正向特性相似。发射极注入到基区内的空穴成为基区中的少数载流子，大量的电子堆积在基区内靠近发射结一边，而靠近集电结的基区一边的空穴被集电结施加的反向电压吸引到集电区，于是基区内形成了由发射结向集电结的空穴梯度，就产生了空穴在基区的扩散运动——由发射结向集电结的扩散。在扩散运动过程中，空穴也会有一部分与基区内的电子复合，这就形成了基极电流厶。但由于基区很薄，大部分空穴可以由发射结到达集电结，而形成集电极电流厶。集电结上施加的是反向电压，使集电结阻挡层变厚，像二极管加反向电压一样阻止载流子运动，只有很小的反向屯流。不过这在发射极没有空穴注入的情况。当基区内有发射极注入大量空穴后情况就完不同了，大量的空穴一旦到达集电结，立即被集电结电场所吸引，形成集电极电流。晶体三极管中，三个极的电。需要指出，一般厶相对厶要小得多，在电路分析上常认为，而忽略IB。

          
    另外，晶体三极管在集电结反向电压一定时，集电极电流（也就是发射极电流）和发射极的正向电压有关。正向电压高，电流大；正向电压低，电流小。集电结反向电压的高低对集电极电流的影响甚微（当然在Ec很小时例外）。这是因为最增加到一定数值后，便已经能把由发射极注入到基区并扩散到集电结附近的空穴全部吸引到集电区去，丘再增大，进入集电区的空穴数不会再增加，所以厶几乎不变。