内建电场引起少CB1AF-P-12V子漂移、阻碍多子扩散。
    由于内建电场的方向由N区指向P区，在P区里靠近PN结附近的自由电子将被加速逆着电场向N区移动；而在N区里靠近PN结的空穴也被加速顺着电场向P区移动，如图4-7所示。我们称载流子在电场作用下的定向移动为漂移运动。可见，内建电场的形成引起了少子的漂移运动；与此同时，建电场的形成将阻碍多子的继续扩散。

          
    扩散运动和漂移运动的动态平衡。
    扩散运动首先形成空间电荷区，产生内建电场，内建电场又引起少子漂移，阻碍多子扩散。扩散与漂移不断进行，且少子漂移运动逐渐增强，多子扩散运动逐渐减弱。当扩散电流与漂移电流相等时，将达到动态平衡，如图4-8所示。此时，PN结的厚度不再发生变化，达到稳定。一般PN结的厚度很薄，其厚度约为几微米至几十微米。