当+12V电源接通后，晶体管VT的基极AS4.5W-K(9920B81)电流fb开始上升，VT导通，VT的集电极电流t开始增加，其集电极一发射极电压Uce
下降。由于t的增加，脉冲变压器一次线圈厶两瑞便产生感应电势P，其方向是阻止‘的增加，即异名端2为正，同名端1为负。
    图3-14间歇振荡器原理电路  随之，脉冲变压器二次线圈厶两端便产生互感电势eM，其方向同样是异名端4为正，同名端3为负。此互感电势eM通过电容CB耦合到晶体管的基极，提高了基极偏置电压“be，致使基极电流气进一步增加，又促使集电极电流fc更进一步增加，于是形成连锁反应的正反馈。

       
    输出波形平顶的形成。
    由于上述连锁正反馈的瞬态发生，很快就进入到晶体管的非线性区与饱和区。进入饱和区后fb便失去对t的控制，正反馈过程停止。在雪崩式正反馈过程时，电容CB只起到耦合作用而来不及充电，当其过程停止后这才正式进入充电状态。随着充电电流的逐渐减小，即fb逐渐减小，当fb减小到一定程度时，晶体管便由饱和区回到放大区，在这段时间内形成输出波形的平顶部分，平顶部分的时间长短代表了间歇振荡器的脉冲宽度。显然，基极充电电容CB愈大，脉冲变压器一次线圈厶的电感量愈大，则脉冲宽度愈大。
    输出波形后沿的形成。
    由于fb的减小，不但使晶体管VT从饱和区退回放大区，并且随着基极电流fb的逐渐减小，集电极电流t因晶体管电流放大倍数∥的存在也随之大幅度减小，从而又发生相反方向的连锁式正反馈。
    输出波形间歇的形成。
    晶体管VT戳止之后，基极充电电容CB已充电完毕，并使VT基极反向偏置而致使其继续保持截止。这时若电容CB无放电回路，那么VT会永远保持截止状态。然而，电容CB上的电压会通过脉冲变压器二次线圈厶与电阻RB向电源放电。由于放电时间常数大，即彳=RBCB，故使得对晶体管反向偏置的解除速度十分缓慢。当放电接近尾声时，偏置电阻逐渐起作用，使晶体管VT的基极变为正向偏置并大于0.7V，间歇停止，第一个周期结束，第二个周期开始。就这样周而复始形成自激间歇振荡。