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触发电路

发布时间:2013/4/15 20:08:43 访问次数:716

    单结晶体管VT等构成晶闸CSNS300M管触发电路,RP、Rz和Cl构成定时网络,决定触发脉冲产生的时间。整流桥堆UR全波整流输出的脉动直流电压,经二极管VDi隔离、电阻Ri降压、稳压二极管VD2稳压后,为单结晶体管VT提供合适的工作电压。
    在每个半周开始时,脉动直流电压经RP、Rz向Cl充电。当Cl上电压达到单结晶体管VT的峰点电压时,单结晶体管VT导通,Cl经VT和R4迅速放电,在R4上形成一个触发脉冲,去触发晶闸管VS导通。
    Cl的充电时间受RP和R2制约。当RP阻值增大时,Cl充电时间延长,单结晶体管VT导通产生触发脉冲的时间延后,使晶闸管VS导通角减小。当RP阻值减小时,Cl充电时间缩短,单结晶体管VT导通产生触发脉冲的时间提前,使晶闸管VS导通角增大。RP即为充电电流调节电位器。
    电感器是储存电能的元件,通常简称为电感,是常用的基本电子元件之一,可分为固定电感器、可变电感器、微调电感器三大类,外形如图5-45所示。

             

    单结晶体管VT等构成晶闸CSNS300M管触发电路,RP、Rz和Cl构成定时网络,决定触发脉冲产生的时间。整流桥堆UR全波整流输出的脉动直流电压,经二极管VDi隔离、电阻Ri降压、稳压二极管VD2稳压后,为单结晶体管VT提供合适的工作电压。
    在每个半周开始时,脉动直流电压经RP、Rz向Cl充电。当Cl上电压达到单结晶体管VT的峰点电压时,单结晶体管VT导通,Cl经VT和R4迅速放电,在R4上形成一个触发脉冲,去触发晶闸管VS导通。
    Cl的充电时间受RP和R2制约。当RP阻值增大时,Cl充电时间延长,单结晶体管VT导通产生触发脉冲的时间延后,使晶闸管VS导通角减小。当RP阻值减小时,Cl充电时间缩短,单结晶体管VT导通产生触发脉冲的时间提前,使晶闸管VS导通角增大。RP即为充电电流调节电位器。
    电感器是储存电能的元件,通常简称为电感,是常用的基本电子元件之一,可分为固定电感器、可变电感器、微调电感器三大类,外形如图5-45所示。

             

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