N沟道耗尽型MOS管和N沟道M1F60-6063增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道（称为初始沟道），只要加上正向电压UDS，就有电流。如果加上正的UCs，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小。增大。反之UCs为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大。减少。当UCS负向增加到某一数值时，导电沟道消失。趋于零，管子截止，故称为耗尽型。如图1-23所示为N沟道耗尽型MOS管的结构、符号与P沟道电路符号。