>开启电压UT  MOS增强型管88E6046-A2-TAH1C000的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。
    >夹断电压UP  耗尽型FET的参数，当Ucs =UP时，漏极电流为零。
    >饱和漏极电流IDSS  耗尽型场效应三极管当Ucs—o时所对应的漏极电流。
    >直流输入电阻RGs  栅源间所加的恒定电压Ucs与流过栅极电流IGS之比。结型：大于l07Q，绝缘栅：l09～lOisQ。
    >漏源击穿电压U (BR) DS  使ID开始剧增时的UDS。
    >栅源击穿电压U (BR) GS
    JFET:反向饱和电流剧增时的栅源电压。
    MOS:使S102绝缘层击穿的电压。
    >低频跨导g。  反映了栅源压对漏极电流的控制作用。UDS -定时，漏极电流变化量AID和栅源电压变化量AUcs之比。表示了栅源电压对漏极电流的控制能力。

          
    >极间电容场效应管三个电极之间的等效电容CGs（栅极与源极间电容）、CGD（栅极与漏极间电容）、CDs（源极与漏极间电容）。一般为几个皮法，结电容小的管子，高频性能好。