场效应管是通过改变外加电压产生的电CA3318CE场强度来控制其导电能力的半导体器件，具有体积小、重量轻、耗电少、寿命长
等优点。场效应管还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。目前在大规模及超大规模集成电路中广泛应用。
    根据结构和工作原理不同，场效应管可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。
    结型场效应管
    结型场效应管工作原理结型场效应管分为N沟道及P沟道两种结构形式。N沟道结型场效应管是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将这两个P区连接在一起，引出一个电极栅极G，N极两端各引出一个电极漏极D和源极S。结型场效应管结构、符号，如图8-1所示。