双栅场效应晶体管的特点是具有两个互1SMA5930BT3G相独立的栅极G，和G：，从结构上看相当于两个单栅场效应晶体管的串联体，如图2-30所示。
    双栅场效应晶体管的输出电流受到两个栅极电压的控制。双栅场效应晶体管的这种特性，使得其用作高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器时带来很大方便。   
    双栅场效应晶体管也有    图2-30双栅场效应晶体管结型和绝缘栅型、N沟道和P沟道之分。常用结型双栅场效应晶体管有4DJ系列，常用绝缘栅型双栅场效应晶体管有4DO系列等。

            
    功率场效应晶体管
    功率场效应晶体管也称为VMOS场效应晶体管，因其金属栅极采用V形槽结构而得名，它也属于绝缘栅场效应晶体管。
    功率场效应晶体管是一种性能优良的电压控制型功率开关器件，具有输入阻抗高、驱动电流小、电压增益高、耐压高、工作电流大、输出功率大、开关速度快、导通电阻小、热稳定性好、过载能力强等特点，在功率放大器、开关电源、逆变器、电机控制和调速等场合应用广泛。
    常用功率场效应晶体管有MT系列、VN系列、IRF系列等。