ECM龟容因素对电容产生输出信号影响的讨论
发布时间:2013/2/28 19:28:54 访问次数:644
电容器中电容变化对输出信号影MAX319ESA响的问题，对电容传声器、驻极体电容传声器来说，则重点讨论了其非线性失真的问题。众所周知，电容传声器、驻极体电容传声器的非线性失真是由声一电换能和电信号放大（阻抗变换）两部分产生的，本文只讨论由声一电换能产生的部分。文献[3]指出，电容器的电容应包括两部分：一部分是膜片与后极板之间形成的电容，该电容由于膜片受声波作用而变化，称为“变化电容”，记为C。；另一部分是与声波作用无关的，称为“固定电容”，记为C。，文献[3]指出的是引线与外壳间的装置电容及后面电路的输入电容，又有两部分，一部分是C。，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，Cs2为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，Cs3为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增加的部分C。，则总电容值C应为：总电容值C=变化电容十固定电容。固定电容C。这样一来，使总的C。值增加了。若膜片的相对位移为艿。，膜片受声波作用的等效位移为X，膜片与后极板间的静态距。为膜片与后极板间静态电容，Qo为静态时（无声波作用时）电容器存储的电荷。这里的第一项是正常的信号电位差，它与膜片的相对位移艿。成正比，第二项与膜片的相对位移掰成正比，是非线性矢真项UD。
由此可见，降低电容传声器的声一电转换中的非线性，可有两个途径：①减少膜片的相对位移文，但这与传声器的灵敏度相矛盾；②增大的数值，这样，就要提高C。。的数值或降低C。的数值。而要提高C。。的数值则需要加大电容器的有效面积或减小膜片与背电极间的距离，这就涉及电容器的整体结构和尺寸；在降低C。的数值方面，应该考虑的又有两部分，一部分是C，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，C。为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增大C。。由此可见，相同尺寸、相同材质的电容传声器和驻极体电容传声器来比较，对驻极体电容传声器而言，驻极体极化后还会增大。而且本文中的实测结果表明C项的影响是“天生”的、明显的、不能忽略的。目前有些传声器、驻极体电客传声器生产公司对电容传声器的非线性畸变的问题重视不够，特别是对增大的数值方面，也没有深入工作，因此，表现出来的是，优秀的驻极体电容传声器非常少见，一般厂商的产品在高声压级下的非线性畸变较大。这些产品不宜在高声压级下工作，不宜用于近距离拾音。
由此可见，降低电容传声器的声一电转换中的非线性，可有两个途径：①减少膜片的相对位移文，但这与传声器的灵敏度相矛盾；②增大的数值，这样，就要提高C。。的数值或降低C。的数值。而要提高C。。的数值则需要加大电容器的有效面积或减小膜片与背电极间的距离，这就涉及电容器的整体结构和尺寸；在降低C。的数值方面，应该考虑的又有两部分，一部分是C，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，C。为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增大C。。由此可见，相同尺寸、相同材质的电容传声器和驻极体电容传声器来比较，对驻极体电容传声器而言，驻极体极化后还会增大。而且本文中的实测结果表明C项的影响是“天生”的、明显的、不能忽略的。目前有些传声器、驻极体电客传声器生产公司对电容传声器的非线性畸变的问题重视不够，特别是对增大的数值方面，也没有深入工作，因此，表现出来的是，优秀的驻极体电容传声器非常少见，一般厂商的产品在高声压级下的非线性畸变较大。这些产品不宜在高声压级下工作，不宜用于近距离拾音。
电容器中电容变化对输出信号影MAX319ESA响的问题，对电容传声器、驻极体电容传声器来说，则重点讨论了其非线性失真的问题。众所周知，电容传声器、驻极体电容传声器的非线性失真是由声一电换能和电信号放大（阻抗变换）两部分产生的，本文只讨论由声一电换能产生的部分。文献[3]指出，电容器的电容应包括两部分：一部分是膜片与后极板之间形成的电容，该电容由于膜片受声波作用而变化，称为“变化电容”，记为C。；另一部分是与声波作用无关的，称为“固定电容”，记为C。，文献[3]指出的是引线与外壳间的装置电容及后面电路的输入电容，又有两部分，一部分是C。，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，Cs2为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，Cs3为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增加的部分C。，则总电容值C应为：总电容值C=变化电容十固定电容。固定电容C。这样一来，使总的C。值增加了。若膜片的相对位移为艿。，膜片受声波作用的等效位移为X，膜片与后极板间的静态距。为膜片与后极板间静态电容，Qo为静态时（无声波作用时）电容器存储的电荷。这里的第一项是正常的信号电位差，它与膜片的相对位移艿。成正比，第二项与膜片的相对位移掰成正比，是非线性矢真项UD。
由此可见，降低电容传声器的声一电转换中的非线性，可有两个途径：①减少膜片的相对位移文，但这与传声器的灵敏度相矛盾；②增大的数值，这样，就要提高C。。的数值或降低C。的数值。而要提高C。。的数值则需要加大电容器的有效面积或减小膜片与背电极间的距离，这就涉及电容器的整体结构和尺寸；在降低C。的数值方面，应该考虑的又有两部分，一部分是C，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，C。为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增大C。。由此可见，相同尺寸、相同材质的电容传声器和驻极体电容传声器来比较，对驻极体电容传声器而言，驻极体极化后还会增大。而且本文中的实测结果表明C项的影响是“天生”的、明显的、不能忽略的。目前有些传声器、驻极体电客传声器生产公司对电容传声器的非线性畸变的问题重视不够，特别是对增大的数值方面，也没有深入工作，因此，表现出来的是，优秀的驻极体电容传声器非常少见，一般厂商的产品在高声压级下的非线性畸变较大。这些产品不宜在高声压级下工作，不宜用于近距离拾音。
由此可见，降低电容传声器的声一电转换中的非线性，可有两个途径：①减少膜片的相对位移文，但这与传声器的灵敏度相矛盾；②增大的数值，这样，就要提高C。。的数值或降低C。的数值。而要提高C。。的数值则需要加大电容器的有效面积或减小膜片与背电极间的距离，这就涉及电容器的整体结构和尺寸；在降低C。的数值方面，应该考虑的又有两部分，一部分是C，为振膜通过垫片和背极间存在的杂散电容，C。为绝缘管体外的导电环和接地外壳间存在的杂散电容，为导电环内绝缘管体通过PCB板和接地外壳间存在的杂散电容；另一部分是对驻极体电容传声器而言的，驻极体极化后还会增大C。。由此可见，相同尺寸、相同材质的电容传声器和驻极体电容传声器来比较，对驻极体电容传声器而言，驻极体极化后还会增大。而且本文中的实测结果表明C项的影响是“天生”的、明显的、不能忽略的。目前有些传声器、驻极体电客传声器生产公司对电容传声器的非线性畸变的问题重视不够，特别是对增大的数值方面，也没有深入工作，因此，表现出来的是，优秀的驻极体电容传声器非常少见，一般厂商的产品在高声压级下的非线性畸变较大。这些产品不宜在高声压级下工作，不宜用于近距离拾音。
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