半导体中电子的举动
发布时间:2013/2/5 11:02:19 访问次数:545
图3. 29为受光照后DG413AK/883B其电阻大幅度减小的硫化镉(CdS)元件，图3. 30为应用了此原理的点曝光仪。另外，图3.31显示的是温度上升则电阻减小的热敏电阻，它被应用在温度计等仪器中。这些元器件均利用了CdS和热敏电阻受光或热能作用后半导体内的载流子——自由电子及空穴的分布和运动会发生变化这一性质。
如前所述，半导体是仅仅只要加入少量的杂质就会对其性质产生
重大影响的一种具有敏感性质的材料。因此，首先必须将其提炼成连续11个9，即纯度达99. 999 999 999%的高纯度半导体晶体（本征半导体）。然后掺入微量的杂质，以获取易于利用的载流子。
本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴，当外加光、热、电场等能量时，这些载流子的数量会增加，如图3. 32所示。
如前所述，半导体是仅仅只要加入少量的杂质就会对其性质产生
重大影响的一种具有敏感性质的材料。因此，首先必须将其提炼成连续11个9，即纯度达99. 999 999 999%的高纯度半导体晶体（本征半导体）。然后掺入微量的杂质，以获取易于利用的载流子。本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴，当外加光、热、电场等能量时，这些载流子的数量会增加，如图3. 32所示。
图3. 29为受光照后DG413AK/883B其电阻大幅度减小的硫化镉(CdS)元件，图3. 30为应用了此原理的点曝光仪。另外，图3.31显示的是温度上升则电阻减小的热敏电阻，它被应用在温度计等仪器中。这些元器件均利用了CdS和热敏电阻受光或热能作用后半导体内的载流子——自由电子及空穴的分布和运动会发生变化这一性质。
如前所述，半导体是仅仅只要加入少量的杂质就会对其性质产生重大影响的一种具有敏感性质的材料。因此，首先必须将其提炼成连续11个9，即纯度达99. 999 999 999%的高纯度半导体晶体（本征半导体）。然后掺入微量的杂质，以获取易于利用的载流子。
本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴，当外加光、热、电场等能量时，这些载流子的数量会增加，如图3. 32所示。
如前所述，半导体是仅仅只要加入少量的杂质就会对其性质产生
重大影响的一种具有敏感性质的材料。因此，首先必须将其提炼成连续11个9，即纯度达99. 999 999 999%的高纯度半导体晶体（本征半导体）。然后掺入微量的杂质，以获取易于利用的载流子。本征半导体中存在着相同数量的自由电子与空穴，当外加光、热、电场等能量时，这些载流子的数量会增加，如图3. 32所示。
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