场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种MGSF2N02ELT1G利用场效应原理工作的半导体器件，外形如图5-22所示。和普通双极型晶体管相比较，场效应管具有输人阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，得到了越来越广泛的应用。
    场效应管的种类
    场效应管的种类很多，如图5-23所示。场效应管主要分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类，又都有N沟道和P沟道之分。

           
    绝缘栅型场效应管也叫做金属氧化物半导体场效应管，简称为MOS场效应管，分为耗尽型MOS管和增强型MOS管。
    场效应管还有单栅极管和双栅极管之分。双栅场效应管具有两个互相独立的栅极G，和G2，从结构上看相当于由两个单栅场效应管串联而成，其输出电流的变化受到两个栅极电压的控制。双栅场效应管的这种特性，使得其用作高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器时很方便。