场效应管与三极管相比，具有输ATMEGA644A-PU入电阻高（可达l08~ 1015Q）、稳定性较好、抗辐射能力强、功耗低、制造工艺简单以及特别适合大规模集成等诸多优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路，在电路中主要起信号放大、阻抗变换等作用，因此得到了广泛应用。
    根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)两大类型。
    结型场效应管
    结型场效应管的外形、结构及符号如图6.1所示。在一块N型半导体两侧做出两个高掺杂的PN区，从而形成两个PN结。两侧P区相接后引出的电极称为栅极(G)，在N型半导体两端分别引出的两个电极称为源极(S)和漏极(D)。由于N型区结构对称，因此漏极和源极可以互换使用。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应管称为N沟道结型场效应管。
结型场效应管因有两个PN结而得名，结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。场效应管在电路原理图中常用字母“V”、“VT”表示，在电路原理图中的符号如图6.1(c)、(e)所示。场效应管的图形符号中的箭头，是用来区分类型的。箭头从外指向芯片，表示是N沟道型场效应管；箭头从芯片指向外，表示是P沟道型场效应管。