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晶闸管结构解说

发布时间:2013/1/13 14:18:39 访问次数:849

   【晶闸管结构解说】
    图15-3是晶闸管结构示意图。从图中BSC094N03SG能够看出,它是一个有3个PN结的4层半导体器件。由最外面一层的P型材料引出一个电极作为阳极A。由最外面一层的N型材料引出一个电极作为阴极K。中间的P型材料引出一个电极作为控制极G。4层半导体之间分别形成3个PN结,分别是J1. J2和J3.
    图15-4是4层半导体结构等效成两只三极管电路的示意图。

            
    【晶闸管工作原理解说】
    给A、K之间加上正向电压UA。时,即A极为高电位,K极为低电位。然后,再给G、K之间加上正向电压UG。时,即G极为高电位,K极为低电位。此时,VT2在UGK正向偏置电压下导通,其集电极电压下降,使VT1也导通。
    设VT1电流放大倍数,VT2电流放大倍数,在UGK作用下,VT2有基极电流血,其集电极电流,如即为VT1的基极电流。经VT1的放大,其集电极电流又作为VT2昀基极电流馈入VT2基极。显然,此时的五z已大得多,说明VT1、VT2构成正反馈成电路,经正反馈很陕使VT1和VT2处于饱和导通状态。
    在晶闸管导通后,去掉UG。,VT1和VT2仍然处于导通状态。
    通过以上分析可知,晶闸管相当于一个导通与截止受控制极触发电压控制的电子开关器件。

   【晶闸管结构解说】
    图15-3是晶闸管结构示意图。从图中BSC094N03SG能够看出,它是一个有3个PN结的4层半导体器件。由最外面一层的P型材料引出一个电极作为阳极A。由最外面一层的N型材料引出一个电极作为阴极K。中间的P型材料引出一个电极作为控制极G。4层半导体之间分别形成3个PN结,分别是J1. J2和J3.
    图15-4是4层半导体结构等效成两只三极管电路的示意图。

            
    【晶闸管工作原理解说】
    给A、K之间加上正向电压UA。时,即A极为高电位,K极为低电位。然后,再给G、K之间加上正向电压UG。时,即G极为高电位,K极为低电位。此时,VT2在UGK正向偏置电压下导通,其集电极电压下降,使VT1也导通。
    设VT1电流放大倍数,VT2电流放大倍数,在UGK作用下,VT2有基极电流血,其集电极电流,如即为VT1的基极电流。经VT1的放大,其集电极电流又作为VT2昀基极电流馈入VT2基极。显然,此时的五z已大得多,说明VT1、VT2构成正反馈成电路,经正反馈很陕使VT1和VT2处于饱和导通状态。
    在晶闸管导通后,去掉UG。,VT1和VT2仍然处于导通状态。
    通过以上分析可知,晶闸管相当于一个导通与截止受控制极触发电压控制的电子开关器件。

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1-13晶闸管结构解说

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