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元器件作用提示

发布时间:2012/11/26 20:27:15 访问次数:745

    1C4是1VT1的基极旁路电容,使基ECJ2VC1HR75C极交流接地,这样信号从1VT1的发射极、基极之间输入,从集电极、基极之间输出,所以这是共基极电路。
    1L2和1C7A、1C6A、1C5构成输入调谐电路,其中1C7A是调频连中的天线连,这一输入调谐电路是1VT1的集电极负载。这是一个LC并联谐振电路,当改变1C7A(天线连)的容量时,便可改变该电路的诰振频率,从而实现调谐。
    1C6A是附在四连上的微调电容,起高频补偿作用。1R4是1VT1的集电极稳定电阻。从调谐电路上取出的已调高频信号(即所选出的某电台高频信号)经1C8耦合到变频管1VT2的发射极上。
    变频器电路分析。电路中的1VT2等元器件构成变频器电路。1VT2的发射极经1L3和1R5接负电压(-V)。1R6、1R7是1VT2的分压式基极偏置电阻。1VT2的集电极经1R8、181 -次侧和1L4接地,这样建立了变频管1VT2的直流工作电路。
    1C11是1VT2的基极旁路电容,使1VT2的基极交流接地。
    本机振荡器选频电路由1L4和1C14、1C6B、1C7B、1C12、1C10、1C13禾口1VD5构成,其中1C7B是调频连中的天线连,1C7B的容量与1C7A容量同步变化,以保证本振频率始终比高频信号频率高出10.7MHz。1C6B是四连中的微调电容。
    本振信号经1C14加到1VT2发射极,来自高放级的信号也从发射极送入变频管1VT2,其输出信号加到181 -次侧调谐电路中,该调谐电路调谐在10.7MHz上,这样可取出差频信号,即10.7MHz的中频信号。这一中频信号从181二次侧输出,加到1VT3放大级中。
    电路中,1L3和1C9构成一个LC串联谐振电路,谐振在10.7MHz上,以吸收中频信号,防止变频产生的中频信号窜入高额放大器电路中。
    AFC电路分析。变容二极管1VD5的结电容和1C13串联之后并在本机振荡器的谐振选频电路上,当1VD5结电容随AFC电压变化而变化时,便能改变本振频率。
    电路中,-V经1R10、1R11分压给1VD5一定的偏置电压,AFC电压经1R12、1R9加到1VD5的正极,这样AFC电压变化时,1VD5两端的电压也随之变化,引起结电容的容量变化,改变本振频率,达到AFC的目的。
    1C16为1VD5负极旁路电容,由于它容量较大(O.OlptF),对本振信号而言呈通路。1C17、1C18为AFC电压滤波电容。
    中频前置放大器电路分析。一些中频放大器电路由于加入陶瓷滤波器带来了插入损耗,因而要设一级前置放大级(指中频信号前置放大),电路中的1VT3就是这种前置中频放大器。
    1VT3的发射极经发射极电阻1R14接-V:1R13接地,为基极偏置电阻(固定式偏置电路);1VT3的集电极负载电阻为1R15,它又是滤波器1BL1输入端阻抗匹配电阻;1R15接地;1VT3集电极的电位为最高。这样1VT3建立了直流工作电路。电路中的1C20是1VT3的发射极旁路电容。
    波段控制分析。电路中的1S1-6足波段开关,这是用来控制调谐器各波段工作的,图示在调频波段(F)位置,-V经1S1-6(F)加到调频收音电路中。当1S1-6在其他位置时,-V被切断,调频收音电路停止工作。
    1C4是1VT1的基极旁路电容,使基ECJ2VC1HR75C极交流接地,这样信号从1VT1的发射极、基极之间输入,从集电极、基极之间输出,所以这是共基极电路。
    1L2和1C7A、1C6A、1C5构成输入调谐电路,其中1C7A是调频连中的天线连,这一输入调谐电路是1VT1的集电极负载。这是一个LC并联谐振电路,当改变1C7A(天线连)的容量时,便可改变该电路的诰振频率,从而实现调谐。
    1C6A是附在四连上的微调电容,起高频补偿作用。1R4是1VT1的集电极稳定电阻。从调谐电路上取出的已调高频信号(即所选出的某电台高频信号)经1C8耦合到变频管1VT2的发射极上。
    变频器电路分析。电路中的1VT2等元器件构成变频器电路。1VT2的发射极经1L3和1R5接负电压(-V)。1R6、1R7是1VT2的分压式基极偏置电阻。1VT2的集电极经1R8、181 -次侧和1L4接地,这样建立了变频管1VT2的直流工作电路。
    1C11是1VT2的基极旁路电容,使1VT2的基极交流接地。
    本机振荡器选频电路由1L4和1C14、1C6B、1C7B、1C12、1C10、1C13禾口1VD5构成,其中1C7B是调频连中的天线连,1C7B的容量与1C7A容量同步变化,以保证本振频率始终比高频信号频率高出10.7MHz。1C6B是四连中的微调电容。
    本振信号经1C14加到1VT2发射极,来自高放级的信号也从发射极送入变频管1VT2,其输出信号加到181 -次侧调谐电路中,该调谐电路调谐在10.7MHz上,这样可取出差频信号,即10.7MHz的中频信号。这一中频信号从181二次侧输出,加到1VT3放大级中。
    电路中,1L3和1C9构成一个LC串联谐振电路,谐振在10.7MHz上,以吸收中频信号,防止变频产生的中频信号窜入高额放大器电路中。
    AFC电路分析。变容二极管1VD5的结电容和1C13串联之后并在本机振荡器的谐振选频电路上,当1VD5结电容随AFC电压变化而变化时,便能改变本振频率。
    电路中,-V经1R10、1R11分压给1VD5一定的偏置电压,AFC电压经1R12、1R9加到1VD5的正极,这样AFC电压变化时,1VD5两端的电压也随之变化,引起结电容的容量变化,改变本振频率,达到AFC的目的。
    1C16为1VD5负极旁路电容,由于它容量较大(O.OlptF),对本振信号而言呈通路。1C17、1C18为AFC电压滤波电容。
    中频前置放大器电路分析。一些中频放大器电路由于加入陶瓷滤波器带来了插入损耗,因而要设一级前置放大级(指中频信号前置放大),电路中的1VT3就是这种前置中频放大器。
    1VT3的发射极经发射极电阻1R14接-V:1R13接地,为基极偏置电阻(固定式偏置电路);1VT3的集电极负载电阻为1R15,它又是滤波器1BL1输入端阻抗匹配电阻;1R15接地;1VT3集电极的电位为最高。这样1VT3建立了直流工作电路。电路中的1C20是1VT3的发射极旁路电容。
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