低压差稳压器与开关稳压AP5056器比较.低压差稳压器与开关稳压器相比，主要有以下优点。
    (1)稳压性能好。
    (2)外围电路简单，使用方便。
    (3)成本低廉。
    (4)低噪声（可达几十微伏，无开关噪声），低纹波（电源抑制比可达60～70dB），这对于无线电和通信设备至关重要。
    (5)低静态电流（超低压差稳压器的静态电流可低至几微安至几十微安），低功耗，当输入电压与输出电压接近时可达到裉高的效率。
    (6)具有快速响应能力，能对负载或输入电压的变化做出快速反应。例如常见的输出正电压的78××系列和输出负电压的79××系列集成电路稳压器。

    标准稳压器比其他类型稳压器具有较大的压差、较大的功耗和较低的效率。
    (1)准低压差稳压器。准低压差稳压器通常使用达林顿复合管结构，以便实现由一只NPN三极管和一只PNP三极管组成的调整管。这种复合管的压降通常大约为1V，比低压差稳压器高但是比标准稳压器低。
    (2)低压差稳压器。低压差稳压器通常压差在100～200mV范围。
    (3)超低压差(ULDO)稳压器。ULDO稳压器为超低压差稳压器，比低压差稳压器有更低的压差。
    超低压差稳压器.低压差稳压器电路架构简单，外部组件很少且简单。一般的低压差稳压器架构为：一个误差放大器驱动一个P型MOSFET，利用反馈电位与参考电位做比较，使输出电压保持稳定。
    当系统中需求的是超低压差、低输出电压(0.8～1.8V)、高输出电流时，用传统单电源、P-MOSFET的架构来设计低压差稳压器就变得相当困难。因此出现了超低压差稳压器，它采用N-MOSFET来当驱动器，以相同大小的驱动器来说，N-MOSFET的驱动特性一般未说是优于P-MOSFET的。但是，在低输入电压时，N-MOSFET的驱动特性又显不足，且可能不适合整个集成电路的工作电压。为此，采用了另一组电源输入来提供集成电路稳定的工作电压，并且大大提升N-MOSFET的驱动能力。这样能够实现低电压输入转换低电压输出，并且能够具有大的输出电流。