SIP是将数种AS125-73功能的lC合并在单一模组中，又称为系统集成封装，即在单一的封装内实现多种功能，从外形上看，SIP其实就是综合了几个器件在内的模块，如图2.92所示。
    SIP是在片上系统(SOC)的基础上发展起来的。对于SOC来说，随着功能和集成度的增加，设计成本和难度也随之增加，设计周期变得很长，兼容性也成了新的问题。而SIP用户可以灵活地采用已有的封装进行集成，甚至可以进行3D堆叠，这样设计周期可以大大缩短，功能器件也可以有选择的余地，并且由于信号传输距离缩短，电磁干扰亦可有效地被屏蔽掉，所以系统性能会显著提高。SIP有如下的优势：功能更多、功耗更低、性能更优良、成本价格更低、体积更小、重量更轻，所以SIP越来越受到市场的青睐，应用越来越广。

    5．SOI技术
    对硅芯片技术的深入研究，使得SOI (Silicon-On-Insulator)技术得以崭露头角，与硅成工艺完全相容，完全继承了硅材料与硅集成电路的成果，并形成了自己独特的优势。
    CMOS是超大规模集成电路发展的主流，SOI CMOS是全介质隔离的，无闩锁效应，有源区面积小、寄生电容小、泄漏电流小，在集成电路的各个领域有着广泛的应用。在抗辐照电路应用中，目前，SIMOX 256KB SRAM的SEU矢效率小于10-10/位·天，并且在5×l09GY (Si)／s的剂量率下仍能保持电路功能，与体硅电路相比，SOI电路的抗辐照能力提高了100多倍。在耐高温集成电路中，300℃以上用SOI制作的256KB RAM和500℃以上时SOI CMOS振荡器电路均已获得满意的功能。另外，在亚微米及深亚微米VLSI应用中，SOI CMOS还可以按比例缩小，器件和电路的性能将有较大幅度的提高。不仅如此．，SOI技术的成功为三维集成电路提供了实现的可能性，也为进一步提高集成电路的集成度和速度开辟了一个新的发展方向，因此，SOI技术的出现必将给现有的IC封装形式带来新的挑战。