图9.5是采用功率开关用SN74HC241N器件-N沟MOSFET 2SK612(NEC)的源极接地型开关电路。这个电路只是改换了图9.1中的FET(漏极负载电阻的值不同)。照片9.5是给这个电路输入lkHz、8Vp-p正弦波时的输入输出波形。可以看出当输入信号的电平超过+1. 6V时输出波形为OV。这是因为当FET的栅极电位超过+1. 6V时输入信号被反相放大的缘故（认为临界电压为+1.6V）。
    图9.6是2SK612的传输特性。这种MOSFET是增强型器件，所以从曲线图可以看出当栅极电位相对于源极为OV时器件截止，达到+3V以上时完全导通(根据图9.6，栅极一源极间电压VG。=+3V时，ID能够超过2A)。在图9.5的电路中，由于漏极电流的设定值小（ID一5mA），所以如照片9.5所示，栅极电压在+1.6V时导通。
    与JFET不同，对于MOSFET来说栅极与沟道间只有绝缘层，并不存在二极管（参见图9.7），所以即使输入信号变为负值时波形也不会被削掉。