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FET电路中旁路电容也是重要的

发布时间:2012/8/16 19:32:17 访问次数:912

     C3和C4是电源的去耦电容——降低电源对LM2575T-ADJ的交流阻抗的电容(旁路电容)。如果没有这个电容,电路的交流特性将出现异常,甚至于出现电路振荡现象。
    电容器的阻抗为1/(27r.F.C),频率愈高,阻抗愈低。但是实际上如图3.9所示,由于内部电感成贫的影响,当超过某一频率时阻抗反而上升。而且在结构上,小容量电容在高频,大容量电容在低频,其阻抗变得更低。

             
   
    因此如图3.10所示,电源上并联连接着小容量电容C3和大容量电容C4,所以电源对于GND的阻抗在很宽的频率范围内都下降了。但是小容量电容是为了在高频范围降低阻抗的,如果没有把它配置在电源附近就会使连接电容器的布线变长,那么由于布线本身具有的阻抗就起不到降低电源阻抗的作用。
    这里选C3为0.ltlF的叠层陶瓷电容器,C4为10VF的铝电解电容器。
    一般来说,小容量电容器是0. 01~0. lrlF的薄膜电容器或陶瓷电容器,大容量电容器是l~lOOruF的铝电解电容器。
    对于这种低频电路,几乎所有的电路中即使没有小电容C3都能够正常工作。但是在高频电路中,C3的作用比大容量电容器C4更重要。

             
    需要注意的是在习惯上,旁路电容形成大容量和小容量的2way结构。
    电源是电路工作的基础。而旁路电容可以说是为电路工作所付的保险费。电路图上即使没有记入旁路电容,如果能够在实际构成电路时恰当地接人旁路电容,就说明你已经进入了经验丰富的技术人员的行列。

     C3和C4是电源的去耦电容——降低电源对LM2575T-ADJ的交流阻抗的电容(旁路电容)。如果没有这个电容,电路的交流特性将出现异常,甚至于出现电路振荡现象。
    电容器的阻抗为1/(27r.F.C),频率愈高,阻抗愈低。但是实际上如图3.9所示,由于内部电感成贫的影响,当超过某一频率时阻抗反而上升。而且在结构上,小容量电容在高频,大容量电容在低频,其阻抗变得更低。

             
   
    因此如图3.10所示,电源上并联连接着小容量电容C3和大容量电容C4,所以电源对于GND的阻抗在很宽的频率范围内都下降了。但是小容量电容是为了在高频范围降低阻抗的,如果没有把它配置在电源附近就会使连接电容器的布线变长,那么由于布线本身具有的阻抗就起不到降低电源阻抗的作用。
    这里选C3为0.ltlF的叠层陶瓷电容器,C4为10VF的铝电解电容器。
    一般来说,小容量电容器是0. 01~0. lrlF的薄膜电容器或陶瓷电容器,大容量电容器是l~lOOruF的铝电解电容器。
    对于这种低频电路,几乎所有的电路中即使没有小电容C3都能够正常工作。但是在高频电路中,C3的作用比大容量电容器C4更重要。

             
    需要注意的是在习惯上,旁路电容形成大容量和小容量的2way结构。
    电源是电路工作的基础。而旁路电容可以说是为电路工作所付的保险费。电路图上即使没有记入旁路电容,如果能够在实际构成电路时恰当地接人旁路电容,就说明你已经进入了经验丰富的技术人员的行列。

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