在图4.8的电路中，读者SK110(SR1110)也许会认为，要增加集电极电流Ic，只要加大集电极电压VcC就可以了。但是，即使大幅度加大了集电极电压，集电极电流也不会显著增加。这是因为，如图4.10所示，Vc。对集电极一基极之间成反向电压。即使基极一发射极之间加上正向电压，也会因为电压降的大部分在集电极一基极之间（电阻非常大）产生，所以受Vcc大小变化的影响很小。恰好就与给二极管加上反向电压，在齐纳电压以前的阶段，即使加大电压，电流还是几乎不流通的情况非常相像。实际上，在此电路中，如图4. 11所示，电流的大小是由到底有多少电子从发射极移动至基极而决定的。因此，加载于基极一发射极之间的正向电压对集电极电流的影响力要大得多。
    由图4.9可知，基极电流IB的曲线接近于与横轴平行。随着IB的增加，IC呈阶段性的增长，也即表示它几乎不受Vcc的影响，而受IB的影响较大。IB一30tiA（-30×10—6 A）时，Ic≈6mA(一6×10-3A)，B一20弘A时，Ic≈4mA。计算卢，则得p= IC／IB一6×10-3]（30×10叫）-200。根据VCE -IC特性曲线描绘的IB -IC特性如图4.2所示。

    晶体管不耐热，因温度而改变其特性。不过，锗晶体管与硅晶体管受温度影响的程度有显著的差异，后者较为稳定。能使晶体管正常工作的结合部温度的最大值称为最大结合部温度（Ti）。结合部的温度是电流流过产生的热造成的温度上升与环境温度之和，此温度锗晶体管约为75～85℃，硅晶体管约为130～175℃。