制作N型半导体
发布时间:2012/7/19 18:27:07 访问次数:840
如图3.36所示，往硅晶体中加A3P250-FGG256I入极少量的砷。此时，砷进行原子结合需要5个电子，与之相比，硅只需4个，从而多出1个电子，此屯子在晶体中游动。这个电子因没有对手与之结合而变得容易移动，微小的能量就可使其成为自由电子。此类存在多余自由电子的半导体称为N型半导体，如图3.37所示。
制作P型半导体
在硅晶体中加入铟等3价原子时，会发生与N型半导体相对称的现象。如图3.38所示，因为铟的价电子为3，与硅联手时缺少1个电子，所以此处会拉拢附近的价电子，从而产生空穴。此类拥有空穴的半导体称为P型半导体，如图3.39所示。
如图3.36所示，往硅晶体中加A3P250-FGG256I入极少量的砷。此时，砷进行原子结合需要5个电子，与之相比，硅只需4个，从而多出1个电子，此屯子在晶体中游动。这个电子因没有对手与之结合而变得容易移动，微小的能量就可使其成为自由电子。此类存在多余自由电子的半导体称为N型半导体，如图3.37所示。
制作P型半导体
在硅晶体中加入铟等3价原子时，会发生与N型半导体相对称的现象。如图3.38所示，因为铟的价电子为3，与硅联手时缺少1个电子，所以此处会拉拢附近的价电子，从而产生空穴。此类拥有空穴的半导体称为P型半导体，如图3.39所示。
相关技术资料- 7-19制作N型半导体
- 相关IC型号
- A3P250-FGG256I
- A3P250-VQG100
公网安备44030402000607
