半导体集成电路是以P型硅材ER1B(SF12)料作为衬底，在其上形成晶体管、二极管、电阻器、电容器等而构成的。图2. 43是双极型集成电路结构的例子。

              
   
    MOS集成电路有PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS集成电路等。与双极型集成电路相比，其结构简单，价格便宜，而且正在进行高密度化、高速化的开发。NMOS集成电路N型沟道的载流子是电子，其迁移率比P型沟道的空穴大，可以在高速下工作，使用比PMOS广泛。
    如图2. 44所示，CMOS集成电路是使P型沟道和N型沟道的两个晶体管相组合的倒相电路。CMOS集成电路比NMOS集成电路面
积性能比大，制造工序多，它具有超低耗电、抗噪声能力强等特点。