Ci是否真的没有构成低通MSP430F1232IPWR滤波器？为了确认这一点，如图6.7所示在源极一GND间连接了一个lOyF的电容器(如果FET的输入电容等效为lOtLF)。
    照片6.9是给图6.7的电路输入lkHz、1VP-P，的正弦波时的输入输出波形。果FET的榆入电容影响到电路的工作，那么源极连接的10FLF电容器与Rs就应该构成低通滤波器（认为信号源的输出阻抗为零）。
    这个低通滤波器的截止频率为16Hz，那么lkHz的信号应该被充分衰减(计算得衰减量为36dB)，不应该出现输出信号。
    但是，如照片6.9所示输出端出现了0.46VP-P的信号（实际的电路中，源极的阻抗对于GND不为零，所以本来的2.7VP-P降低为0.46VP-P，还出现了输入输出波形的相位差）
    由此可以说明在栅极接地放大电路中，输入电容并没有构成低通滤波器。

    因此，栅极接地比源极接地的频率特性好。或者说，栅极接地的频率特性是FET本来的特性；源极接地时由于密勒效应而增大了输入电容使本来的频率特性被掩盖了。