照片11.10表示双晶XC3S100E-4TQG144C体管的例子。这些器件称为单片式双晶体管，是在一个半导体衬底上形成的紧靠着的晶体管，所以器件间各种特性的差别非常之小（进行严格地挑选，两个晶体管特性一致的双片式双晶体管也是有的，但在本质上相匹配的还是单片式为好）。
    照片11.11是在图11.2电路中，设vi1=vI2=OV时的集电极电位VC1、VC2的波形。

    在这里使用的Tr3与Tr4的2SC2458是极普通的晶体管，所以V。。不是宪全相同的。因此，发射极电流没有平衡，R4与R3的直流压降，即在uC1与VC2上产生0.4V的差。
    该晶体管VBE的差乘上增益之后的值出现在输出上，所以在该电路使用的2SC2458的VBE之差为5.9mV(≈O.4V／68倍)。虽然的差只有数毫伏，但乘上增益之后就变成很大的值。
    进而，在温度发生变动时，还要加上温度系数的差，所以差变得更大。