决定电源电压
发布时间:2012/5/14 20:41:04 访问次数:649
可以将共发射极电路时的电源IRF7316TRPBF电压取为比最大输出电压（峰一峰值）+发射极电阻上的压降(1V以上)稍大些的值。但是在渥尔曼电路中，还必须考虑到加在图8.2Tri（下面晶体管）的篥电极一发射极间的电压。通常，Tri的集电极一发射极间电压V CE1有必要加2V以上（理由后述）。
在该电路中，设发射极侧电阻(RE +R3)的压降为2V，Tri的VCE1为3V。因此，最大输出电压为5VP-P所以，电源电压必须在10V（一2V+3V+5VP-P）以上。这里取Vcc=15V。
晶体管的选择
对于Tri和Trz品种的选择，是从集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间的最大额定值V CEO -在该电路中为15V以上的器件中挑选的（实际上，Tr2的发射极电位要比电源电压低，Tri与Tr2的VCBO，CEO的耐压都没有必要达到电源电压）。
显然，如果使用截止频率fT(hf。为1时的频率)高的晶体管，似乎就能改善电路的高频特性。但是设计规格只是尽可能地改善频率特性，所以在这里，Tri，Tr2都采用通用小信号晶体管2SC2458（东芝），因此来证实一下“通用品”的实力。
直流电流放大系数hFE的档次与电路性能没有太大关系(参考式(8.4))，任何一档都可以。这里使用GR档。
在该电路中，设发射极侧电阻(RE +R3)的压降为2V，Tri的VCE1为3V。因此，最大输出电压为5VP-P所以，电源电压必须在10V（一2V+3V+5VP-P）以上。这里取Vcc=15V。
晶体管的选择
对于Tri和Trz品种的选择，是从集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间的最大额定值V CEO -在该电路中为15V以上的器件中挑选的（实际上，Tr2的发射极电位要比电源电压低，Tri与Tr2的VCBO，CEO的耐压都没有必要达到电源电压）。
显然，如果使用截止频率fT(hf。为1时的频率)高的晶体管，似乎就能改善电路的高频特性。但是设计规格只是尽可能地改善频率特性，所以在这里，Tri，Tr2都采用通用小信号晶体管2SC2458（东芝），因此来证实一下“通用品”的实力。
直流电流放大系数hFE的档次与电路性能没有太大关系(参考式(8.4))，任何一档都可以。这里使用GR档。
可以将共发射极电路时的电源IRF7316TRPBF电压取为比最大输出电压（峰一峰值）+发射极电阻上的压降(1V以上)稍大些的值。但是在渥尔曼电路中，还必须考虑到加在图8.2Tri（下面晶体管）的篥电极一发射极间的电压。通常，Tri的集电极一发射极间电压V CE1有必要加2V以上（理由后述）。
在该电路中，设发射极侧电阻(RE +R3)的压降为2V，Tri的VCE1为3V。因此，最大输出电压为5VP-P所以，电源电压必须在10V（一2V+3V+5VP-P）以上。这里取Vcc=15V。
晶体管的选择
对于Tri和Trz品种的选择，是从集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间的最大额定值V CEO -在该电路中为15V以上的器件中挑选的（实际上，Tr2的发射极电位要比电源电压低，Tri与Tr2的VCBO，CEO的耐压都没有必要达到电源电压）。
显然，如果使用截止频率fT(hf。为1时的频率)高的晶体管，似乎就能改善电路的高频特性。但是设计规格只是尽可能地改善频率特性，所以在这里，Tri，Tr2都采用通用小信号晶体管2SC2458（东芝），因此来证实一下“通用品”的实力。
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在该电路中，设发射极侧电阻(RE +R3)的压降为2V，Tri的VCE1为3V。因此，最大输出电压为5VP-P所以，电源电压必须在10V（一2V+3V+5VP-P）以上。这里取Vcc=15V。
晶体管的选择
对于Tri和Trz品种的选择，是从集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间的最大额定值V CEO -在该电路中为15V以上的器件中挑选的（实际上，Tr2的发射极电位要比电源电压低，Tri与Tr2的VCBO，CEO的耐压都没有必要达到电源电压）。
显然，如果使用截止频率fT(hf。为1时的频率)高的晶体管，似乎就能改善电路的高频特性。但是设计规格只是尽可能地改善频率特性，所以在这里，Tri，Tr2都采用通用小信号晶体管2SC2458（东芝），因此来证实一下“通用品”的实力。
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