图2. 17表示电压放大倍数及相位的频DM11C率特性(lkHz～lOMHz)曲线，如对电路的放大倍数进行正确的测量，放大倍数为12.8dB（约4.4倍）（图2.17的放大倍数曲线）。这比由式(2.9)设定的A，(14dB=5倍)略低一些。
    式(2.9)是设IC=IE时进行计算的。但是实际晶体管的hFE为有限的值，所以，IC=IE+IB，Ic比IE要小一些。因此，实际的放大倍数（增益）也比由式(2.9)计算的值要低一些（如严格地进行计算，不仅与hFE有关，而且与晶体管的输入阻抗hIE也有关）。

    但是，设定的增益与实际的增益误差为10%左右，所以式(2.9)是实用的。
    反过来说，产生10%的误差，并不意味着要采用精度更高的电阻来替代确定增益的电阻RE与Rc±5%精度（J档）的电阻就足够了。
    在图2.18中，表示的是低频的频率特性。低频截止频率厂为0.8Hz，这与由式(2.14)计算出的、在输入侧形成的高通滤波器的截止频率几乎是一致的（因为没有接负载，在输出侧形成的高通滤波器可以忽略）。