改善器件和组件的散热
发布时间:2012/4/28 20:10:08 访问次数:533
改善器件和组件的散ADXRS652BBGZ热可从下述三个方面的措施来实现：
①通过整体结构的优化设计改善组件的散热性能。
②改进管壳结构设计，采用钨铜替代原来的无氧铜作为管壳的底座，利用钨铜与可伐侧墙之间较好的热匹配，减小管壳底座在高温烧结过程中的形变，改善管壳与散热器之间接触，降低热阻。
③采用AuSn合金作为贴片工艺的材料，改善HFET与管壳之间的散热。
试验结果表明，以上各方面的设计改进工作对提高功放组件的高温可靠性的效果很显著，该组件不仅顺利通过环境温度60℃（壳温80℃）连续工怍500小时的寿命试验，而试验前后输出功率变化量已在0. 3dB以内，试验后输出功率仍然达10W以上，达到并超过了预期设计目标。
为了降低器件的峰值结温，提高器件的抗失配能力和长期可靠性，以达到可靠性指标要求，在设计阶段还综合采用了以下几种技术：
①外延层采用双层外延技术。
②离子注入镇流电阻技术。
③镇流电阻优化设计技术。
④发射极布局的优化设计技术。
⑤采用覆盖结构配合厚的电镀层技术。
⑥采用双层金属技术。
⑦较大的输出功率余量设计技术。
⑧冗余技术。
①通过整体结构的优化设计改善组件的散热性能。
②改进管壳结构设计，采用钨铜替代原来的无氧铜作为管壳的底座，利用钨铜与可伐侧墙之间较好的热匹配，减小管壳底座在高温烧结过程中的形变，改善管壳与散热器之间接触，降低热阻。
③采用AuSn合金作为贴片工艺的材料，改善HFET与管壳之间的散热。
试验结果表明，以上各方面的设计改进工作对提高功放组件的高温可靠性的效果很显著，该组件不仅顺利通过环境温度60℃（壳温80℃）连续工怍500小时的寿命试验，而试验前后输出功率变化量已在0. 3dB以内，试验后输出功率仍然达10W以上，达到并超过了预期设计目标。
为了降低器件的峰值结温，提高器件的抗失配能力和长期可靠性，以达到可靠性指标要求，在设计阶段还综合采用了以下几种技术：
①外延层采用双层外延技术。
②离子注入镇流电阻技术。
③镇流电阻优化设计技术。
④发射极布局的优化设计技术。
⑤采用覆盖结构配合厚的电镀层技术。
⑥采用双层金属技术。
⑦较大的输出功率余量设计技术。
⑧冗余技术。
改善器件和组件的散ADXRS652BBGZ热可从下述三个方面的措施来实现：
①通过整体结构的优化设计改善组件的散热性能。
②改进管壳结构设计，采用钨铜替代原来的无氧铜作为管壳的底座，利用钨铜与可伐侧墙之间较好的热匹配，减小管壳底座在高温烧结过程中的形变，改善管壳与散热器之间接触，降低热阻。
③采用AuSn合金作为贴片工艺的材料，改善HFET与管壳之间的散热。
试验结果表明，以上各方面的设计改进工作对提高功放组件的高温可靠性的效果很显著，该组件不仅顺利通过环境温度60℃（壳温80℃）连续工怍500小时的寿命试验，而试验前后输出功率变化量已在0. 3dB以内，试验后输出功率仍然达10W以上，达到并超过了预期设计目标。
为了降低器件的峰值结温，提高器件的抗失配能力和长期可靠性，以达到可靠性指标要求，在设计阶段还综合采用了以下几种技术：
①外延层采用双层外延技术。
②离子注入镇流电阻技术。
③镇流电阻优化设计技术。
④发射极布局的优化设计技术。
⑤采用覆盖结构配合厚的电镀层技术。
⑥采用双层金属技术。
⑦较大的输出功率余量设计技术。
⑧冗余技术。
①通过整体结构的优化设计改善组件的散热性能。
②改进管壳结构设计，采用钨铜替代原来的无氧铜作为管壳的底座，利用钨铜与可伐侧墙之间较好的热匹配，减小管壳底座在高温烧结过程中的形变，改善管壳与散热器之间接触，降低热阻。
③采用AuSn合金作为贴片工艺的材料，改善HFET与管壳之间的散热。
试验结果表明，以上各方面的设计改进工作对提高功放组件的高温可靠性的效果很显著，该组件不仅顺利通过环境温度60℃（壳温80℃）连续工怍500小时的寿命试验，而试验前后输出功率变化量已在0. 3dB以内，试验后输出功率仍然达10W以上，达到并超过了预期设计目标。
为了降低器件的峰值结温，提高器件的抗失配能力和长期可靠性，以达到可靠性指标要求，在设计阶段还综合采用了以下几种技术：
①外延层采用双层外延技术。
②离子注入镇流电阻技术。
③镇流电阻优化设计技术。
④发射极布局的优化设计技术。
⑤采用覆盖结构配合厚的电镀层技术。
⑥采用双层金属技术。
⑦较大的输出功率余量设计技术。
⑧冗余技术。
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