小结
发布时间:2012/4/23 19:29:48 访问次数:425
高性能的电子系统要求VLSI能长期OV5642可靠的工作，使得原来意义上的“IC设计”发展成为“IC性能设计”和“IC可靠性设计”两部分。而后一部分显得越来越重要。IC可靠性设计的基础是可靠性模型的建立和可靠性模拟技术的研究。IC的可靠性建模与模拟已成为IC设计、IC可靠性研究的新课题和重要分支。
在研究开发集成电路可靠性模拟器方面已做了大量工作，其目的是在适当的CPU时间内模拟集成电路的可靠性，以使“性能设计”和“可靠性设计”能同步进行。可靠性模型必须简单，但又必须精确、通用，既能给出电路的主要可靠性弱点，又能在任何时候都能预测电路的可靠性。已引入的可靠性模型有热载流子效应、时间决定的介质击穿、电迁移、双极晶体管退化等。为了减少模拟时间，电迁移和二氧化硅击穿都采用统计模型。
理想的可靠性模拟系统应包括所有的失效机理，能在大范围内对各种器件和电路，在设计阶段就预测出其可靠性，并进行设计和工艺的优化。
在研究开发集成电路可靠性模拟器方面已做了大量工作，其目的是在适当的CPU时间内模拟集成电路的可靠性，以使“性能设计”和“可靠性设计”能同步进行。可靠性模型必须简单，但又必须精确、通用，既能给出电路的主要可靠性弱点，又能在任何时候都能预测电路的可靠性。已引入的可靠性模型有热载流子效应、时间决定的介质击穿、电迁移、双极晶体管退化等。为了减少模拟时间，电迁移和二氧化硅击穿都采用统计模型。
理想的可靠性模拟系统应包括所有的失效机理，能在大范围内对各种器件和电路，在设计阶段就预测出其可靠性，并进行设计和工艺的优化。
高性能的电子系统要求VLSI能长期OV5642可靠的工作，使得原来意义上的“IC设计”发展成为“IC性能设计”和“IC可靠性设计”两部分。而后一部分显得越来越重要。IC可靠性设计的基础是可靠性模型的建立和可靠性模拟技术的研究。IC的可靠性建模与模拟已成为IC设计、IC可靠性研究的新课题和重要分支。
在研究开发集成电路可靠性模拟器方面已做了大量工作，其目的是在适当的CPU时间内模拟集成电路的可靠性，以使“性能设计”和“可靠性设计”能同步进行。可靠性模型必须简单，但又必须精确、通用，既能给出电路的主要可靠性弱点，又能在任何时候都能预测电路的可靠性。已引入的可靠性模型有热载流子效应、时间决定的介质击穿、电迁移、双极晶体管退化等。为了减少模拟时间，电迁移和二氧化硅击穿都采用统计模型。
理想的可靠性模拟系统应包括所有的失效机理，能在大范围内对各种器件和电路，在设计阶段就预测出其可靠性，并进行设计和工艺的优化。
在研究开发集成电路可靠性模拟器方面已做了大量工作，其目的是在适当的CPU时间内模拟集成电路的可靠性，以使“性能设计”和“可靠性设计”能同步进行。可靠性模型必须简单，但又必须精确、通用，既能给出电路的主要可靠性弱点，又能在任何时候都能预测电路的可靠性。已引入的可靠性模型有热载流子效应、时间决定的介质击穿、电迁移、双极晶体管退化等。为了减少模拟时间，电迁移和二氧化硅击穿都采用统计模型。
理想的可靠性模拟系统应包括所有的失效机理，能在大范围内对各种器件和电路，在设计阶段就预测出其可靠性，并进行设计和工艺的优化。
相关技术资料- 4-23小结
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