移动SDRAM
发布时间:2012/2/24 18:59:18 访问次数:1049
有较高功耗要求的嵌入式应用JK16-075 可选用移动SDRAM或低功耗SDRAM。在这些应用中，SDRAM使用不频繁，大部分时间都处于空闲状态。移动SDRAM提供了一种特殊模式，可在SDRAM窒闲时降低功耗，而Blackfin处理器支持这种特性就是温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新。温度补偿自刷新特性允许在温度低于45℃时，减小空闲状态下的白刷新频率。存储单元的漏电与温度密切相关，温度较高时，漏电比低温时快。标准SDRAM的自刷新率是根据高温最坏情况设定的，且SDRAM也是特定的。在Blackfin处理器中，可通过EBIU_SDGCTL寄存器中的TCSR位设置温度，TCSR的值代表温度上限（如45℃意味着工作环境温度低于45℃）。
许多应用程序仅使用SDRAM设备的一部分来缓存数据数组，而数据存储在数据处理后，因此，此时采用部分阵列自刷新特性是节省功率的一种好方法。该特性可使应用程序选择空闲模式下要刷新的存储器块。如果SDRAM上保存有程序代码，应将其放人SDRAM的存储器块0和1中，否则程序代码会丢失。
对于该应用，应使用低电压（1. 8V或2.SV）Blackfin处理器。
许多应用程序仅使用SDRAM设备的一部分来缓存数据数组，而数据存储在数据处理后，因此，此时采用部分阵列自刷新特性是节省功率的一种好方法。该特性可使应用程序选择空闲模式下要刷新的存储器块。如果SDRAM上保存有程序代码，应将其放人SDRAM的存储器块0和1中，否则程序代码会丢失。
对于该应用，应使用低电压（1. 8V或2.SV）Blackfin处理器。
有较高功耗要求的嵌入式应用JK16-075 可选用移动SDRAM或低功耗SDRAM。在这些应用中，SDRAM使用不频繁，大部分时间都处于空闲状态。移动SDRAM提供了一种特殊模式，可在SDRAM窒闲时降低功耗，而Blackfin处理器支持这种特性就是温度补偿自刷新(TCSR)和部分阵列自刷新。温度补偿自刷新特性允许在温度低于45℃时，减小空闲状态下的白刷新频率。存储单元的漏电与温度密切相关，温度较高时，漏电比低温时快。标准SDRAM的自刷新率是根据高温最坏情况设定的，且SDRAM也是特定的。在Blackfin处理器中，可通过EBIU_SDGCTL寄存器中的TCSR位设置温度，TCSR的值代表温度上限（如45℃意味着工作环境温度低于45℃）。
许多应用程序仅使用SDRAM设备的一部分来缓存数据数组，而数据存储在数据处理后，因此，此时采用部分阵列自刷新特性是节省功率的一种好方法。该特性可使应用程序选择空闲模式下要刷新的存储器块。如果SDRAM上保存有程序代码，应将其放人SDRAM的存储器块0和1中，否则程序代码会丢失。
对于该应用，应使用低电压（1. 8V或2.SV）Blackfin处理器。
许多应用程序仅使用SDRAM设备的一部分来缓存数据数组，而数据存储在数据处理后，因此，此时采用部分阵列自刷新特性是节省功率的一种好方法。该特性可使应用程序选择空闲模式下要刷新的存储器块。如果SDRAM上保存有程序代码，应将其放人SDRAM的存储器块0和1中，否则程序代码会丢失。
对于该应用，应使用低电压（1. 8V或2.SV）Blackfin处理器。
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