1．变容二极管工作原理
    图10-39所示是变容二极管等效电路，它等效成一只可变电容Cd和电阻Rs的串联电路，其中，电容Cd就是结电容。在一般电路分析中，可以不计等效电路中的电阻Rs.

                          
    2．变容二极管主要参数
    (1)品质因数Q。品质因数Q=l/2πfRsCd，要求Q值必须足够大，以保证调谐电路的Q值。
    串联电阻Rs会使变容二极管产生损耗， E02A08GA这种损耗愈大，品质因数Q愈小，变容二极管的质量愈差。
    (2)电容变化比。变容二极管在零偏压时的结电容与在击穿电压时的结电容之比称为电容变化比。电容变化比大，调谐频率范围大。
    变容二极管的容量变化范围一般为5～300pF。
    (3)击穿电压。变容二极管击穿电压较高，一般为15～90V。
    3．变容二极管反向电压一容量特性曲线
    图10-41所示是变容二极筐反向电压．容量特性曲线，从曲线中可以看出，反向偏置电压愈大，其容量愈小。