在高频率时，因为晶体管内部电容变得重要， L2A2136 米勒定理可以用来简化反相放大器的分析，这会在稍后加以讨论。在BJT或FET中，介于输入端（基极或栅极），与输出端（集电极或漏极）之间的电容为Cbc或Cgd，其一般形式如图10. 5(a)所示。其中Av代表放大器在中段频率范围的电压增益绝对值，而C代表Cbc或Cgd。

                   
    米勒定理指的是C实质上可视为输入端到接地之间的电容，如图10.5 (b)所示，此电容可以表示成：
                            Cin(Miller)=C(AV+1)      (10.1)

    这个公式显示了Cbc（或Cgd）对输入电容的影响，比它的实际值大很多。例如，如果Cbc=6pF且放大器增益为50，则Cin(Miller)=306pF。图10.6显示这个等效输入电容如何在实际交流等效电路中与Cbe（或Cgs）并联。
    米勒定理也提到C实质上可视为输出端到接地之间的电容，如图10.5(b)所示，此电容可以表示成：
                       Cout(Miller)=C×(Av+1/Av)         (10.2)
     这个公式指出，如果电压增益等于或大于10，因为(Av+1)/Av约等于1，所以Cout(Miller)约等于Cbc或Cgd。图10.6也显示这个等效输出电容如何出现在BJT或FET的交流等效电路中。20.2节中有式(10.1)和(10.2)的推导过程。