单纯的P型半导体或N型半导体内部虽然有空穴或自由电子，但整体是电中性的，不带电。现利用特殊的掺杂工艺，在一块晶片的两边分别生成N型和P型半导体。因为P区的多子是空穴，N区的多子是电子，在两块半导体交界处同类载流子的浓度差别极大，这种差别将产生P区浓度高的空穴向N区扩散， G081与此同时，N区浓度高的电子也会向P区扩散。扩散运动的结果使P型半导体的原子在交界处得到电子，成为带负电的离子；N型半导体的原子在交界处失去电子，成为带正电的离子，形成空间电荷区。空间电荷区随着电荷的积累将建立起一个内电场E，该电场对半导体内多数载流子的扩散运动起阻碍的作用，但对少数载流子的运动却起到促进的作用。少数载流子在内电场作周下的运动称为漂移运动。在无外电场和其他因素的激励下，当参与扩散的多数载流子和参与漂移的少数载流子在数目上相等时，空间电荷区电荷的积累效应将停止，空间电荷区内电荷的数目将达到一个动态的平衡，并形成PN结。如图1-7所示，此时，空间电荷区具有一定的宽度，内电场也具有一定的强度，PN结内部的电流为零。

                       
    由于空间电荷区在形成的过程中，移走的是载流子，留下的是不能移动的正、负离子，这种作用与电容器存储电荷的作用等效，因此，PN结也具有电容的效应，该电容称为PN结的结电容。PN结的结电容有势垒电容和扩散电容两种。