(1)单结晶体管的基本结构单结晶体管亦称基极二极管，其工作原理不同于双极型晶体管及场效应晶体管。单结晶体管广泛应用于定时、振荡、双稳电路以及晶闸管触发电路。
    单结晶体管的符号、等效电路及外形如图1- 35所示。

    国产单结晶体管的典型产品有BT1～BT37，其中B代表半导体，T代表特种管，3表示有三个输出端，末尾数字是产品序号。国外典型产品有2N2646、2N2648(美国)、2SH21（日本）等。

    (2)单结晶体管的特性单结晶体管的特性是，当发射极电位大于峰值电压UP时，单结晶体管导通；当发射极电位小于谷值电压Uv时，单结晶体管重新截止。
    ①用万用表测试单结晶体管
    A.单结晶体管的判定：单结晶体管的外形与双极型三极管很相似。单结晶体管内部只有一个PN结，将万用表拨到R×lk电阻挡可依次测量管子任意两个电极间的正、反向电阻。若管子两极间的正反向电限相等，而且阻值为2～15kΩ，即该管基本上为单结晶体管，且该两极为Bi、B20还可以进一步判断一下该管有无放大能力。若该管没有放大能力，就可断定该
管为单结晶体管。
    B．单结晶体管电极的判别：首先按上述方法确别发射极E，然后根据发射极E和每个基极之间是一个PN结，其正、反向电阻值应有明显差别的特点，可进一步断定该极为发射极E。其正向电阻约几千欧[姆]，反向电阻则更大。
    在单结晶体管的制造过程中，一般使发射极靠近基极B₂,远离基极B₁因而E至B₂的正向电阻较小，而E至B₁正向电阻则较大。
    具体检测方法是，用万用表黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极B₁、B₂。比较两个正向电阻值的大小，与较小阻值对应的红表笔所接触的电极为基极B₂，另一电极为基极B₁。
    应当指出，上述判别基极B₁、B₂的方法，不一定对所有单结晶体管都成立，有个别管子的E～B1间的正向电阻值较小。不过准确地判别单结晶体管的两个基极，哪个是B₁、哪个是B₂，在实际应用中并不重要。这是因为，即使B₁、B₂用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出的脉冲幅度（在脉冲电路中，单结晶体管多作脉冲发生器使用，产生尖脉冲）。当发现输出的脉冲幅度较小时，只要将原来假定的B₁、B₂对调过来就可以了。
    ②用万用表测量硅单结晶体管的主要参数
    A. RBB基极电阻的测量：在发射极开路条件下，用万用表R×100或R×lk挡测量B1～B2间的电阻值，应在2～10kΩ之间，若阻值过大或过小，均不宜使用。
    B．分压比η的粗测：硅单结晶体管是个负阻元件，它可以存在两种状态，一是射极电流极小的截止状态，一是射极电流较大的导通状态。所以，要找到截止状态和导涌状态，才能表示管子是好的。
    图1- 36是测量单结晶体管分压比叩的简易方法。图中VD为硅二极管，万用表用直流电压挡。电源电压E=10V，电压表的读数为V，则η=V/E.     Z84C2006PEC

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