NLAS3899B双路DPDT低RON低电容开关电路的基本特性：

    NLAS3899B是一个设计用于低功率声频和双SIM卡应用的双路DPDT模拟开关，3.OΩ（典型值）的低RON理想地用于路由选择声频信号。除此之外，20pF（典型值）的低CON给NLAS3899B -个更高的带宽，即280MHz，对于双SIM卡应用是非常完美的。
   
1) 单电源电压范围为1. 65—4.3V，功能直接来自LiON电池；
2) 低ON电阻为3OΩ（典型值），横穿Vcc；
3) 低CON为20pF（典型值）；
4) 带宽为280MHz；
5) 最大中断电压为5.5V；
6) 低静态功率；
7) 具有1.8V芯片集的接口；
8) 无铅封装。