CY7C419/CY7C421/CY7C425/CY7C429/CY7C433 256字/512字/1024字/2048字/4096字×9异步先进先出存储器电路的基本特性：

    CY7C419、CY7C421、CY7C425、CY7C429和CY7C433都是600mil和300mil宽封装的异步先进先出存储器。它们分别是9位的256字、512字、1024字、2048字和4096字。每个先进先出昀存储器数据都是按序读和写的，提供满和空的标记防止过运行和欠运行。
   
1) 异步先进先出缓冲寄存器；        7）双端口RAM单元；
2) 256字×9(CY7C419)；             8) 高速50.OMHz读/写独立的深度/宽度；
3) 512字×9(CY7C421)；             9) 低功率(Icc= 35mA)；
4) 1024字×9(CY7C425)；            10)满和空标记；
5) 2048字×9(CY7C429)；            11)TTL兼容；
6) 4096字×9(CY7C433)；            12)宽度扩展能力。