AT28BV648是页面写入和软件数据保护电路吗？
发布时间:2011/7/11 9:37:07 访问次数:743
AT28BV648 64kbit(8k×8bit)带有页面写入和软件数据保护的Battery- Voltage并行EEPROM电路的基本特性：
1)单电源电压供应为2.7~3. 6V；
2)快速读取时间为200ns；
3)自动页面写入操作，用于64B内部地址和数据锁存，内部控制计时器；
4)快速页面写入周期，页面写入周期为lOms（最大值），1~ 64B页面写入操作；
5)低功耗，正常工作时电流为15mA，CMOS待机电流为20μA；
6)硬件和软件数据保护；
7)高可靠性CMOS技术，100000次循环擦写周期，10年数据保留；
8)商业级和工业级温度范围。
AT28BV648 64kbit(8k×8bit)带有页面写入和软件数据保护的Battery- Voltage并行EEPROM电路的基本特性：
1)单电源电压供应为2.7~3. 6V；
2)快速读取时间为200ns；
3)自动页面写入操作，用于64B内部地址和数据锁存，内部控制计时器；
4)快速页面写入周期，页面写入周期为lOms（最大值），1~ 64B页面写入操作；
5)低功耗，正常工作时电流为15mA，CMOS待机电流为20μA；
6)硬件和软件数据保护；
7)高可靠性CMOS技术，100000次循环擦写周期，10年数据保留；
8)商业级和工业级温度范围。
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