很多系统级芯片带有内部存储器，它具有速度快功耗低的优点，但容量却不是很大，因此需要和外部存储器结合起来使用。本文介绍如何配置系统以使片上sram和片外sdram一起构成一个连续的存储空间，达到比单独使用sdram时等待时间更短且功耗更低的目的。

　　lh79520是一种具有较高集成度的系统级芯片，可广泛用于多种便携式设备。该芯片带有32kb片上sram，可用作lcd显示器的片上帧缓存器。但不幸的是，32kb对多数彩色显示器存储容量太小，例如一个320×240 8位像素显示器需要75kb存储空间。尽管如此，由于片上存储器速度快，功耗也比sdram小很多，所以把片上sram作为大型帧缓冲器的一个部分还是有意义的。

　　lh79520内部有一个arm720t核，该内核包含存储器管理单元(mmu)，可以区分物理存储器地址和虚拟存储器地址。如果arm720t的mmu处于工作状态，处理器将执行虚拟存储器地址的代码，虚拟地址可映射到完全不同的物理地址。

　　初看之下，将sram与sdram合并的任务像是mmu的工作，但遗憾的是mmu只为处理器内核进行地址转化，像彩色lcd控制器(clcdc)之类的dma外设不是arm720t内核的一部分，所以dma外设只能使用物理地址。为了把片上sram和sdram组合成一个相连的物理地址空间，必须利用lh79520的remap功能和片上sram的地址映射特性。

　　复位后lh79520的内存映象如图1最左列所示。将lh79520的复位、状态和功率控制器(rcpc)中的remap寄存器设定为0b10后，程序会把片上sram移到紧挨着sdram存储器的位置。由于片上sram只有32kb，这样在片上sram最后地址0x00007fff和sdram第一个地址0x20000000之间会有一个很大的空隙。

　　地址映射反映了在具体器件上，程序访问最后一个物理地址存储器时会发生什么情况。当remap等于0b10时，32kb片上sram物理地址范围为0x00000000～0x00007fff，片上sram地址总线只有15位。如果代码想进入地址为0x00008000的存储器，那么sram地址总线0位到14位为0，而第15位应该为1，但却不会出现这种情况因为没有第16条地址线。所以进入0x00008000实际上是进入地址为0x00000000的存储器，于是在0x00000000～0x1ffffffff范围里，地址重复使得片上sram每隔32kb就会在地址空间里有一个映射(图2)。

　　所以，要从片上sram和sdram上创建一个75kb帧缓冲器就要把clcdc上格帧缓冲器设定在0x1fff8000地址上，于是帧缓冲器范围将从0x1fff8000～0x2000abff。

　　多数lh79520应用需要从虚拟地址0x00000000开始放置异常矢量，由于remap寄存器已经设定为0b10，所以从0x00000000开始的物理地址空间已经被第一个32kb或帧缓冲器所占有。如果系统中断速率很高，程序将会受益于使用片上sram进行异常处理。对这类系统，只要把开始地址在clcdc的片上帧缓冲器设定到内部存储器并跟随所有异常处理代码地址，如果异常处理代码有1kb，就将clcdc帧缓冲器开始代码设定为0x1fff8400。

　　另一方面，由于lh79520从虚拟地址取回指令，因此不必保存帧缓冲器应用所需要的空间异常向量。mmu允许把任何需要的内存放在虚拟地址0x00000000处，例如可以把4kb的sdram映射到虚拟地址0x00000000上，并把异常矢量拷贝到新的虚拟地址。当然，还得用mmu来给帧缓冲器创建一个相邻的虚拟存储空间。假如有快速图形库，则对mmu编程时应该使帧缓冲器虚拟内存空间作为高速缓存，而不是写缓冲器，这样能够减少帧缓冲器更新的等待时间。

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