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英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管

发布时间:2009/2/23 0:00:00 访问次数:584

  英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(apec)上推出第三代thinq! sic肖特基二极管。全新thinq!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。此外,英飞凌推出的第三代sic肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列,不仅包括to-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的dpak封装产品。

  sic肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源(smps)的有源功率因数校正(ccm pfc)和太阳能逆变器与电机驱动器等其他ac/dc和dc/dc电源转换应用。

  相对于第二代产品,英飞凌全新的sic肖特基二极管的器件电容降低约40%,因此减少了开关损耗。例如,工作频率为250 khz的1kw功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件(如电感和电容器),实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求,从而降低系统成本,提高可靠性。英飞凌期望将某些smps应用的系统成本降低20%。

  英飞凌第三代thinq! sic肖特基二极管提供采用to-220和dpak封装的600v(3a、4a、 5a、6a、8a、9a、10a和12 a)产品和采用 to-220封装的1200v产品(2a、5a、8a、10a和 15 a)。

  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)



  英飞凌(infineon)科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(apec)上推出第三代thinq! sic肖特基二极管。全新thinq!二极管在任何额定电流条件下都具备业界最低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。此外,英飞凌推出的第三代sic肖特基二极管是业界种类最为齐全的碳化硅肖特基二极管系列,不仅包括to-220封装(真正的双管脚版本)产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的dpak封装产品。

  sic肖特基二极管的主要应用领域是开关模式电源(smps)的有源功率因数校正(ccm pfc)和太阳能逆变器与电机驱动器等其他ac/dc和dc/dc电源转换应用。

  相对于第二代产品,英飞凌全新的sic肖特基二极管的器件电容降低约40%,因此减少了开关损耗。例如,工作频率为250 khz的1kw功率因数校正级在20%负载条件下整体能效将提高0.4%。更高的开关频率允许使用成本更低、更小的无源组件(如电感和电容器),实现更高功率密度设计。更低的功耗也降低了对散热器和风扇的尺寸和数量要求,从而降低系统成本,提高可靠性。英飞凌期望将某些smps应用的系统成本降低20%。

  英飞凌第三代thinq! sic肖特基二极管提供采用to-220和dpak封装的600v(3a、4a、 5a、6a、8a、9a、10a和12 a)产品和采用 to-220封装的1200v产品(2a、5a、8a、10a和 15 a)。

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