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采用P通道MOSFET管和具有稳定标识的DC/DC

发布时间:2009/1/10 0:00:00 访问次数:1313

  这种方法相对其他方法具有原理简单、增加辅助器件少的特点,通过采用p通道mosfet管和具有稳定标识输出的 dc/dc电源模块来实现。p通道mosfet管作为电源分配开关,dc/dc的电源的稳定状态输出引脚(pg:低电平表示电 源达到理想值)作为电源分配开关的控制信号,控制dsp的i/o供电,如图1所示。

  在上电过程中,i/o供电电源经过mosfet管连接到外部电源上,外部电源通过dc/dc模块变换后作为内核电源。只 有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部i/o电源,保证了内核先于i/o供电。

  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此, 当外部电源降低到dc/dc模块的输出电压以下时,稳定状态输出引脚(pg)会输出高电平从而关闭mosfet,关闭i/o电源。然后外部电源继续降低,dc/dc输出也随之降低从而使内核电源断电。这样就控制了系统的掉电次序。


 图1 内核和i/o电源均为3.3 v供电的dsp系统

  这种方法采用p通道mosfet管作为电源分配开关,以514465为例,该器件有一个大约9 mω的回流吸收电阻。当g端电压大于2.5 v时(so-8封装),mosfet管导通允许有几安培的电流。对于不同封装的514465器件,导通电压和最大允许的电流也有所区别,可以根据需要选择合适的封装。此外,选择p通道mosfet管也要注意其内阻,必须保证内阻上的压降不能大于通过mosfet管电压的1%~2%。此外,在电路设计时还必须保证pg能够正确地打开mosfet管。由于大部分器件的pg都是集电极开路(open drain),为保证当pg处于高阻状态能够关断mosfet管,需要增加一个上拉电阻,如图1所示。

  欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com)



  这种方法相对其他方法具有原理简单、增加辅助器件少的特点,通过采用p通道mosfet管和具有稳定标识输出的 dc/dc电源模块来实现。p通道mosfet管作为电源分配开关,dc/dc的电源的稳定状态输出引脚(pg:低电平表示电 源达到理想值)作为电源分配开关的控制信号,控制dsp的i/o供电,如图1所示。

  在上电过程中,i/o供电电源经过mosfet管连接到外部电源上,外部电源通过dc/dc模块变换后作为内核电源。只 有当内核电源的稳定状态输出引脚输出低电平时,才会接通外部i/o电源,保证了内核先于i/o供电。

  在掉电过程中,由于外部供电线路中某些容性器件的存在,外部电源电压由正常值到0状态会有一个过程。因此, 当外部电源降低到dc/dc模块的输出电压以下时,稳定状态输出引脚(pg)会输出高电平从而关闭mosfet,关闭i/o电源。然后外部电源继续降低,dc/dc输出也随之降低从而使内核电源断电。这样就控制了系统的掉电次序。


 图1 内核和i/o电源均为3.3 v供电的dsp系统

  这种方法采用p通道mosfet管作为电源分配开关,以514465为例,该器件有一个大约9 mω的回流吸收电阻。当g端电压大于2.5 v时(so-8封装),mosfet管导通允许有几安培的电流。对于不同封装的514465器件,导通电压和最大允许的电流也有所区别,可以根据需要选择合适的封装。此外,选择p通道mosfet管也要注意其内阻,必须保证内阻上的压降不能大于通过mosfet管电压的1%~2%。此外,在电路设计时还必须保证pg能够正确地打开mosfet管。由于大部分器件的pg都是集电极开路(open drain),为保证当pg处于高阻状态能够关断mosfet管,需要增加一个上拉电阻,如图1所示。

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