系统中所采用的nand-flash芯片是samsung公司的k9f2808u。该器件存储容量为16m×8位，除此之外还有512k×8位的空闲存储区。该器件采用tssop48封装，工作电压为2.7～3.6v。8位i／o端口采用地址、数据和命令复用的方法，这样既可减少引脚数，又可使接口电路简捷。

　　由于arm系统没有nand-hash控制所需要的cle、ale信号，因此需要利用arm的通用gpio口。具体的连接电路如图所示。

　　图 nand flash模块

　　nand－flash引脚定义如表所示。

　　表 nand-flash引脚定义

　　·命令锁存使能（cle），使输入的命令发送到命令寄存器。当变为高电平时，在we上升沿命令通过iio口锁存到命令寄存器。

　　·地址锁存使能（ale），控制地址输入到片内的地址寄存器中，地址是在we的上升沿被锁存的。

　　·片选使能（ce），用于器件的选择控制。在读操作、cb变为高电平时，器件返回到备用状态；然而，当器件在写操作或擦除操作过程中保持忙状态时，ce的变高将被忽略，不会返回到备用状态。

　　·写使能（we），用于控制把命令、地址和数据在它的上升沿写入到i／o端口；而在读操作时必须保持高电平。

　　·读使能（re），控制把数据放到i／o总线上，在它的下降沿trea时间后数据有效； 同时使内部的列地址自动加1。

　　·i／o端口，用于命令、地址和数据的输入及读操作时的数据输出。当芯片未选中时， i／o口为高阻态。

　　·工写保护（wp），禁止写操作和擦除操作。当它有效时，内部的高压生成器将会复位。

　　·准备／忙（r／b），反映当前器件的状态。低电平时，表示写操作或擦除操作以及随机读正进行中；当它变为高电平时，表示这些操作已经完成。它采用了开漏输出结构，在芯片未选中时不会保持高阻态。

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