实际上，fpl在所有存储技术（sram、eprom、e2prom和抑熔断技术【10】）中都是可行的。根据具体的技术可以将元器件定义为是可重复编程的还是一次性编程的。大多数sram元器件都可以通过一位流来编程，从而降低了对布线的要求，但是也相应地增加了编程的时间（通常情况下，这—范围是毫秒（ms）级的）。对于fpga来说，具有优势地位的sram元器件是基于静态cmos存储技术的，并且是在系统可编程和可重复编程的。然而它们还需要一个外部“引导”器件作为组态。由于电可编程只读存储器（electrically programmable read－only memory，eprom）需要用紫外线照射来擦除，所以经常用在—次性cm0s可编程模式中。cmos电可擦可编程只读存储器（electrically erasable programmable read－only memory，e2prom）可以用作可重复编程和在系统编程器件。eprom和e2prom都具有设置时问短的优势。因为编程信息不是下载到元器件上的，所以能够得到更好的保护，禁止未授权的使用。近来出现了一项基于eprom的技术，称为闪存（flash memory）的革新技术。这类元器件通常被视作是“页方式”的、具有更小的单元，在系统可重复的编程系统，等同于e2prom元器件。最后，在表1中简要地给出了不同元器件技术的主要优点和缺点。

　　表1 fpl技 术

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