近来，用横向湿法氧化工艺生长的a1.o，半导体结构dbr被用来实现低阈值、高效率的vcsel。氧化物／半导体dbr的vcsel结构方案也被提出。这种结构的dbr的特点是折射率差高、高反射率波段范围宽和反射相位变换平滑等。上述特点减小了光场在dbr中的渗透深度，这样也相应地减小了谐振腔的有效腔长，减少了谐振腔所产生的光模式，提高了激射效率。

　　采用a1.oy／gaas的dbr有一个技术难点，就是在异质界面处ga和0的键合力太小。

　　受热或受压都有可能引起dbr的断层。为了解决这一问题，人们在异质界面间插入一个渐变或者均匀的algaas层，用来提高键合强度。这样，该dbr结构除了原有的两个层之外，还增加了两个algaas缓冲层，因此人们通常将氧化层的厚度设计的略薄于1／4波长。这样就构成了一个缓变且非对称的dbr。它的温度特性与全苄导体dbr具有可比性，这表明a1xoy对有源区散热并没有太多影响。

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