光电二极管采用2μm n阱cmos工艺中的n阱-p衬底pn结来作光电二极管^［51］。系统未加优化时，780 nm波长下3 db带宽大于1.5 mhz，5v偏压下漏电流密度为0.5 pa/mm2，响应度r=0.5 a/w（η＝70%）。

为了能够连续观察pn型光电二极管的光生电流，可以让其工作在存储模式。光电二极管的pn结电容可以被用来存储光生电荷，并在一定周期之后将它们读出，如图1所示^［52］。

图1 工作在放电存储模式的pn型光电二极管

为了实现这个目的，当reset mos开关打开的时候，光电二极管的电容cph初始化设置为反向电压vrev。然后reset开关置于关状态，光电二极管浮空处于光接收周期。在这个周期内，cpix，以入射光功率决定的速率放电。剩余电荷通过read mos开关并通过集成的电荷感应放大器（cas）得到最终的信号。读出的电荷信号越小，说明入射光的光功率越强。这种放电存储模式要优于充电模式，因为加在光电二极管上的初始偏压vrev能够有效地收集光生电荷，而在充电模式中，空间电荷区的宽度较小，从而不能有效地收集光生电荷。

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