绝缘栅双极晶体管igbt（insu1ated gate bipolar transistor）是一种新型的复合功率开关器件。如图（a）为igbt芯片的基本结构图，可以看出 ，igbt比n型沟道的mosfet多一个p＋层。

　　igbt的特点如下。

　　（1）igbt是一种电压控制的功率开关器件：igbt等效于用mosfet做驱动级的一种压控功率开关器件。

　　（2）igbt比mosfet的耐压高，电流容量大：igbt导通时正载流子从p＋层流人n型区并在n型区积蓄，加强了电导调制效应，这就使igbt在导通时 呈现的电阻比高压（300v以上）mosfet低得多，因而igbt容易实现高压大电流。前级是个电流较小的mosfet，允许导通电阻较大，nˉ层可以适当 地加厚，耐压可以提高。

　　（3）开通速度比mosfet快：由于igbt中小电流mosfet的开通速度很快，在开通之初后级pnp型晶体管的基极电流上升很快，使igbt的开通速度不 但比双极性晶体管快，而且开通延迟时间td（on）比同容量的mosfet还短。

　　（4）关断速度比mosfet慢：虽然igbt中前级mosfet的关断速度很快，但后级pnp型晶体管是少子功率的开关器件，少数载流子要有复合、扩散和 消失的时间，在电流迅速下降到约1/3时，下降速度明显变慢，俗称“拖尾”。后级pnp型管的集一射极之间有基一射极pn结压降和mosfet的压 降，故集一射极不进入深饱和状态，关断速度较快。随着生产工艺的改进，关断速度也有明显的提高。

　　igbt的输出特性如图（d）所示，为低压区输出特性。

　　如图 igbt开关管

　　（1）电压型控制特性。

　　（2）即使在集电极电流ic很小时，uce也只少有一个pn结的压降（约0.7v），这就是igbt为什么不做成低压开关器件的原因。

　　（3）虽然栅极电压uce不很大（如7v），也能输出一定的集电极电流ic但通态压降uce（on）较大。当栅极电压uce增大到15v时，通态压降uce（on）明显减小。

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