1）静态特性及参数

　　（1）输出特性：mosfet的输出特性如图所示，其特点是栅一源电压ugs控制漏极电流id。

　　（2）漏极（额定）电流id：mosfet的电流容量（幅值）（如dgs=10v）。

　　（3）漏一源击穿电压buds是指该型号mosfet或该管最大瞬时电压的耐压，当漏一源电压uds超过buds时，漏一源极之间雪崩效应电流激增9瞬间 局部过热损坏。buds为正愠度系数，结温每升高10℃，buds约增大1％。

　　（4）开启电压ugs（th），又称为阈值电压，如3.2v、1.5v。栅一源电压超过此值时，漏极电流由小到显着增大；如图1（a）中ugs=3.5v曲线已明显 离开横坐标。

　　ugs（3.2v时，漏-源极之间基本截止，为了可靠截止，ugs加数伏负偏压，如-5v。

　　（5）通态电阻rds（on），是指定栅压ugs（如10v、4.5v）和漏极电流id的条件下，特性低阻区的直流电阻。通态电阻rds（on）与栅一源电压的关系 如图1（b）所示。曲线上斜直线段的斜率为电导，驱动电压ugs较大时电导较大，电阻rds（on）较小。高压大电流mos-fet需要12～15 y的驱动电压 。

　　如图1 mosfet的输出特性

　　①mosfe的通态压降是变量（不是固定参数），可以用idrds（on）计算。

　　②mosfet的rds（on）与漏一源击穿电压的7/6次方（即buds7/6）成正比（当id一定时）。

　　③mosfet的rds（on）与漏极额定电流id成反比（buds一定时）。

　　可见，不同规格mosfet的通态电阻rds（on）变化范围很大，高压小电流mosfet的rds（on）为1ω数量级，通态压降高达数伏；低压大电流mosfet 的rds（on）小到10mω数量级，电流为10a的通态压降仅0.1v，所以可用mosfet协助二极管减小压降，称为同步整流器。

　　（6）跨导gfs（电压控制电流的增益，单位为s，西[门子]）。

　　可以用如图1（a）两条曲线之间距离代表的数据，代入上式求出。

　　2）动态特性及参数

　　在表达器件开关特性时，“开通”是指从断态变成通态的动态过程，“关断”是指从通态变成断态的动态过程。对应上述过程所需的时间为 开通时间ton和关断时间toff，简称开关时间。

　　（1）极间电容是影响开关时间的主要因素，如图2（a）所示。含栅-源电容cgs、栅-漏电容cgd和漏-源电容cds，并有cgs》cds》cgd》（可以用做 近似分析条件）。

　（2）开通过程如图2（b）所示。

　　如图2 mosfet的开关过程波形

　　①t0～t1期间：驱动电压从零上升，经rg对如图2（a）g端等效输入电容ciss充电，ciss可按下式计算：

　　电压按斜虚线上升（开路脉冲），ciss越小，则电压上升得越快。

　　②t1～t2，期间：在t1瞬间，mosfet栅-源电压达到开启电压ugs（th），漏极电流开始上升，由于电路的漏一源等效的输出电容coss处于漏一源之间的高电压，可以按下式计算：

　　coss=cds+cgd

　　对于mosfet容性放电，漏极电流id上升，漏-源电压有所下降，经反馈电容crss影响g驱动电压上升速率（低于开路脉冲）

　　crss=cgd

　　③t2～t3期间：在t2瞬间，漏极电流id已达到稳态幅值，但coss的电压尚大，电流还会过冲。

　　④t3～t4期间：在t3瞬间，coss在漏极峰值电流放电下，电压迅速下降，经过反馈电容crss影响g驱动电压略有回落，维持漏极电流所需的驱 动电压值保持平衡。

　　⑤t4之后，在t4瞬间，coss上的电荷放完，漏一源电压近似为零不变，反馈消失。ugs升高到开路脉冲，进入稳态导通期。

　　（3）关断过程如图2（c）所示。

　　①t0～t1期间：栅-源驱动电压ugs下降，输入电容ciss放电，但ugs仍大于当时漏极电流id饱和导通所需的电压，故id继续饱和导通。

　　②t1～t2期间：ugs小于漏极电流下饱和所需的驱动电压，漏极电压上升，对输出电容crss（≈cds＋cgd）充电，并经过反馈电容crss（等于 cgd）反馈到栅极g，维持栅极电压（高于开路脉冲），由于电路中有电感，电压uds会过冲占

　　③t2～t3期间：ugs从最大值回落时，经反馈电容crss（等于cgd）反馈到栅极g，使栅压ugs下降，漏极电流id下降。

　　④t3～t4期间：栅压ugs下降到阈值电压ugs（th），漏极电流id下降到零。

　　⑤t4瞬间，ugs下降到零，进入稳态关断期。

　　（4）开关时间。开通时间ton：由开通延迟时间和上升时间组成。