肖特基（schottky）二极管是将金属层沉积在n型硅的薄薄外延层上，利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用，相当于pn结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管（schottky barrier diode，sbd）。现有的大多数肖特基二极管都是用硅（51）半导体材料，新材料碳化硅（sic）的sbd也已被应用。

　　1）硅sbd的特点

　　正向压降比pn结二极管低，约为后者的1/2～1/3，典型值为0.45～0.55v，新型低压的可以低达0.32v；反向电压较低，在数十伏以下的较多（最高200 v），适用于低电压的电路中。

　　2）硅sbd的关断速度

　　硅md的关断速度极快，属于快恢复二极管，其整流作用仅取决于多数载流子的漂移现象，没有多余的少数载流子，无存储效应，不存在正向和反向恢复现象，trr仅是势垒电容的充、放电时间，故函小于相同额定的结型二极管，而且与反向di/dt无关。反向恢复时间trr约为10ns数量级。

　　3）硅sbd的缺点

　　硅sbd的缺点是反向漏电流比结型二极管大得多，结电容也较大。

　　4）碳化硅肖特基二极管

　　碳化硅肖特基二极管的最高反向电压能达到2200v；已在市场上见到的有600v、1200v、1700v的产品，正向压降约为1v。

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