高频电感元件的等效电路模型
发布时间:2008/10/7 0:00:00 访问次数:870
当考虑电感元件寄生电容时，高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中rc，为磁心损耗的等效电阻，c为电感绕组的寄生电容，rac为代表绕组铜损的交流电阻，由于绕组铜线高频电流的集肤效应（在后面介绍），使rac>rdc，rdc为铜线的直流电阻。rac/rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如，圆铜线在20℃，fs＝100 khz时，rac/rdc＝1.7。
为使集肤效应的影响减小，导线的直径应不大于2△，△为渗透深度（penetraticn depth）（cm）。
△值与温度有关，100℃时铜电阻率ρ＝2.3×1o-6ω·cm，μ。为空气磁导率，fs为电流频率，表6-3为计算所得的几个典型频率的△值。
表6－3 典型频率时的△值
图1 高频电感元件的等效电路模型
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
当考虑电感元件寄生电容时，高频电感的等效电路模型可以采用图1来表示。图中rc，为磁心损耗的等效电阻，c为电感绕组的寄生电容，rac为代表绕组铜损的交流电阻，由于绕组铜线高频电流的集肤效应（在后面介绍），使rac>rdc，rdc为铜线的直流电阻。rac/rdc与频率、铜线直径、温度等因素有关。例如，圆铜线在20℃，fs＝100 khz时，rac/rdc＝1.7。
为使集肤效应的影响减小，导线的直径应不大于2△，△为渗透深度（penetraticn depth）（cm）。
△值与温度有关，100℃时铜电阻率ρ＝2.3×1o-6ω·cm，μ。为空气磁导率，fs为电流频率，表6-3为计算所得的几个典型频率的△值。
表6－3 典型频率时的△值
图1 高频电感元件的等效电路模型
欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com）
相关技术资料- 5-24全球首台1000nits激光电视探索X1 Ultra详解
- 5-24 新品4MP 图像传感器 —SC4336H
- 5-24ToF传感器工作原理及应用知识介绍
- 5-24表面贴装技术(SMT)TLSM系列特点和优势
- 5-24全新 OPPO Find X9 系列参数
- 5-24首项预测性维护国际标准正式发布
- 5-23TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存应用
- 5-23视频生成模型Veo 3+ Flow应用参数设计
- 5-23扩散语言模型Gemini Diffusion解读
- 5-23氮化炮（GAN）智能功率模块（IPMS）探究
- 5-23集成照片传感器和被动过滤器系列详解
- 5-2318输出网络同步器与JESD204B/C产品详情
- 相关IC型号
热门点击
公网安备44030402000607
