功率mosfet与场效应晶体管相比，可以说速度较快，其原因是由于用于on的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻，但实际上辐更重要。

　　mosfet是双极型的没有载流子积蓄时间，因此可以高速，但它用于off的时间。存在，这个是低速的。

　　功率mosfet的开关特性根据门驱动电路、条件变化很大，所以要进行高速的开关动作，需要很多的知识。

　　图1是将高耐压的功率mosfet 2sk894(500v、8a)，采用和前面的晶体管相同条件地进行开关时的电路。门极电阻fg为100ω(此值并不是最适合的，这里是为了比较测试)。

　　图1 功率mosfet的开关特性测定电路

　　mosfet的门驱动电路，如果不能在门极一源极之间对电容ciss进行高速地充放电，则不能活用fet的高速开关特性。图2是开关时漏极输出波形和门极驱动输人电流ig(门极电压vgsgs≈7v)的波形。注意当vgs＝0v后，mosfet到达off的时间toff拖长820ns。

　　图2 zsk894的开关特性

　　on/off的过渡时间(与rg和ciss有关)里，流过约50ma的门极电流，此时间约800ns。不缩短这个时间就不能改善开关特性。通过波形的观察可知，tf值、tr值都和附加加速电容器的场效应晶体管程度相同，所以不能称为高速。

　　图3是并联连接rg＝100ω和0.01μf的加速电容器时的开关波形。漏极输出波形的tf、tr值约100ns，而toff＝240ns，实现了高速化。如果制作出合适的门驱动电路，则可更加高速化。

　　图3 2sk894的开关特性

　　观察此时的门输人电流波形，通过加入cs，fet的输人电容ciss的充电时间被缩短。

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