由单绕线变压器组成的50Ω/75Ω的阻抗变换电路
发布时间:2008/9/9 0:00:00 访问次数:855
高频用测定器的输人输出阻抗一般为50ω.由于映像关系为75ω,所以用50ω系列的测定器测试阻抗75ω的电路时,如果有无电压损失的阻抗变换器就相当的便利。
图1是由单绕线变压器组成的阻抗变换电路的构成。直流信号不能传送,但可设计任意的匝数比,所以能够对应各种各样的阻抗。照片1表示用环形铁心制作的阻抗变换器的外观。
图1 50ω/75ω的阻抗变换电路
这里,针对50ω/75ω的阻抗变换器进行介绍并实验。
首先,进行匝数比的计算,匝数比的计算由阻抗比的平方裉决定。如n1,取适当的匝数,则
照片1 制作的阻抗变换电路的外观
如果想延伸低频特性,可尽量选择初透磁率μi的环形铁心,这里使用ft-82-75的铁心。这种铁心的初透磁率μi为5000,是透磁率最高的铁心(参照表6.1)。当n1=50匝时,得到l1≈8.5mh,l2≈13mh。
照片2是测定50ω或75ω作终端时的输人阻抗-频率特性的波形。由50ω→75ω变换时,n2侧为75ω的终端阻抗,由50ω→75ω变换时,输入输出相反,n1侧以50ω为终端进行测定。
照片2 制作的电路输人阻抗-频率特性(上面为75ω→50ω,下面为50ω→75ω,f=1khz~10mhz)
低频时的阻抗下降,这是由于线圈的电抗(xl=2πft)变低的缘故。相反地,表示的在数mhz处的上升曲线,可认为是由泄露电感和浮游电容组成的并联共振所引起的。
照片3表示50ω→75ω变换连接时的频率相位特性。低频的衰减特性由线圈的电感引起,实际上从所需频带卜决定了匝数。
照片3 50ω→75ω变换时的增益相位特性(f=l00hz~lomhz,3db/div,20°/div.)
欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)
高频用测定器的输人输出阻抗一般为50ω.由于映像关系为75ω,所以用50ω系列的测定器测试阻抗75ω的电路时,如果有无电压损失的阻抗变换器就相当的便利。
图1是由单绕线变压器组成的阻抗变换电路的构成。直流信号不能传送,但可设计任意的匝数比,所以能够对应各种各样的阻抗。照片1表示用环形铁心制作的阻抗变换器的外观。
图1 50ω/75ω的阻抗变换电路
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首先,进行匝数比的计算,匝数比的计算由阻抗比的平方裉决定。如n1,取适当的匝数,则
照片1 制作的阻抗变换电路的外观
如果想延伸低频特性,可尽量选择初透磁率μi的环形铁心,这里使用ft-82-75的铁心。这种铁心的初透磁率μi为5000,是透磁率最高的铁心(参照表6.1)。当n1=50匝时,得到l1≈8.5mh,l2≈13mh。
照片2是测定50ω或75ω作终端时的输人阻抗-频率特性的波形。由50ω→75ω变换时,n2侧为75ω的终端阻抗,由50ω→75ω变换时,输入输出相反,n1侧以50ω为终端进行测定。
照片2 制作的电路输人阻抗-频率特性(上面为75ω→50ω,下面为50ω→75ω,f=1khz~10mhz)
低频时的阻抗下降,这是由于线圈的电抗(xl=2πft)变低的缘故。相反地,表示的在数mhz处的上升曲线,可认为是由泄露电感和浮游电容组成的并联共振所引起的。
照片3表示50ω→75ω变换连接时的频率相位特性。低频的衰减特性由线圈的电感引起,实际上从所需频带卜决定了匝数。
照片3 50ω→75ω变换时的增益相位特性(f=l00hz~lomhz,3db/div,20°/div.)
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